第5章电化学沉积与微建造技术.ppt

第5章 电化学沉积与微建造技术 本章内容 5.1 金属电结晶 5.2 欠电位沉积和电化学原子层外延 5.3 阳极氧化膜的形成 5.4 半导体器件加工的电化学方法 5.5 电化学在微系统制造中的应用 5.4 半导体器件加工的光电化学方法 半导体相关知识 本征材料：纯硅 9-10个9 250000Ω.cm N型硅： 掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅： 掺入 III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体加工需要一系列的制作流程 半导体器件的制作中的许多工序(如化学抛光、选择性刻蚀、金属化、钝化和氧化膜形成等)都是电化学过程，自20世纪50年代起就被成功地应用。 III~V化合物半导体器件的开发和广泛使用促进了光电化学加工方法成为具有独特优点的新技术。 本节拟介绍光电化学加工方法中涉及的电化学原理。 本节主要内容 5.4.1 半导体的光腐蚀 5.4.2 光电化学刻蚀 5.4.3 光引发的金属化反应 5.4.4 电流加倍效应与光化学刻蚀 5.4.1 半导体的光腐蚀 半导体光腐蚀是光电化学能量转换装置中遇到的难题，但被发展成为微电子加工中的光电化学刻蚀技术。为此，首先要简单讨论一下半导体的热力学稳定性和腐蚀动力学。 1、半导体的热力学稳定性 与金属不同，半导体腐蚀可表现为阳极溶解或表面的阴极还原。 阳极溶解的速度决定步骤以空穴为反应剂，而阴极还原的速度决定步骤以电子为反应剂。 表面上存在空穴相当于价带的成键轨道失去电子，从而削弱邻近原子间的化学键，并使这些原子易于同溶液中的亲核反应剂作用而从固体上溶解。 另一方面，如果导带电子占据反键轨道，同样会使邻近原子间的化学键削弱，并使这些原子易于同溶液中的亲电反应剂作用。 二元化合物半导体MX的分解可表示为： (5-67) (5-68) Y-和A2+分别为溶液中的阴离子和阳离子。 反应(5-67 )和(5-68)实际上是不可逆的，然而从热力学的角度，可将它们视为可逆的并赋予氧化还原电位的数值。当用氢电极作为参比电极时，其半电池反应可表示为: (5-69) (5-70) 若将反应(5-67)和 (5-69)组合为电池反应，则由该反应的自由能变化△G1可求相对于氢电极的标准氧化还原电位值 （1）半导体氧化或还原热力学电位 由△G1可求相对于氢电极的标准氧化还原电位值φpdec： 类似地，将反应(5-68)和(5-70)组合为电池反应，则由该反应的自由能变化△G2可求相对于氢电极的标准氧化还原电位值φndec: 利用热力学方法求出的φpdec和φndec分别被称为半导体被空穴氧化或被电子还原的热力学电位。 （2）半导体的分解能级 与定义溶液中氧化还原体系的Fermi能级一样，由φpdec和φndec可定义半导体的分解能级pEdec和 nEdec，它们常被用于判断固体的热力学稳定性。一般地说，暗态下： 如果Evs pEdec，容易发生阳极腐蚀； 如果Ecs nEdec ，容易发生阴极腐蚀。 对不同的半导体材料而言， pEdec和 nEdec在能级图上位置可能有4种情况，如下图所示。 (a)相当于热力学上绝对稳定的半导体; (b)表示材料具有抗阴极分解的稳定性; ( c)表示材料具有抗阳极分解的稳定性; (d)表示材料对阴极分解和阳极分解都不稳定 2、半导体的腐蚀 半导体腐蚀是一个多步骤过程，下图所示为元素半导体阳极溶解的基元过程，图中A表示表面上的一个原子，它与2个-OH成键。 阳极溶解过程分步进行： 第一个步骤：固体俘获空穴生成表面自由基。 第二个步骤：表面能级Et中的电子进入价带(当表面有较多空穴时)或进入导带。 固体俘获空穴生成表面自由基。由于此时表面原子A与固体之间的化学键大为削弱，表面自由基的能级位于价带之上(如Et所示)。 表面能级Et中的电子进入价带(当表面有较多空穴时)或进入导带(当Et与Ecs接近时)，但只有狭禁带半导体(如Ge)较易发生导带过程。 上图只表示阳极溶解的主要步骤，在多数情况下元素半导体的阳极溶解需要4个电荷参与，反应步骤更为复杂。 上述的基元过程原则上适用于化合物半导体，但不同材料的情况不尽相同。 阳极溶解电流 暗态时，阳极溶解的电流j+与表面空穴密度ps成正比 光照下，有光生空穴参加阳极溶解反应，其反应速度必须由产生空穴电流Jp的传输关系式和连续性方程求出 5.4.2 光电化学刻蚀 1、化学刻蚀与光电化学刻蚀 （1）化学刻蚀 在器件制作的许多步骤中起重要作用 常见湿法蚀刻技术 刻蚀的目的： 获得具有理想平滑表面的样品 除去晶体缺陷和不同掺杂密度的样品区 精确地分离出集成电子器件的活性区域 单晶晶片通常要用金钢锯切割成薄片，然后机械抛光至镜面的光泽度，这个过程破坏了固