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定向凝固炉长晶原理及其电源 1、固相形成的驱动力 G = H-TS 两相平衡的条件是 G =0 或Gliquid = Gsolid H -TS = H -TS L L S S 则 H = T S 在熔点Tc，有 S = H/T C C G = H-T SC = H-T H/TC = H （1- T/TC ） 引入 T = T - T 称为“过冷度”，有 C G = H ·T/TC H 称为相变潜热，对于给定物质，具有定值。 可以看出，对T＜T 的情况，G ＞G 相变将向晶态方向进行，所 C L S 以熔体中固相形成的驱动力 G 依赖于过冷度。 2 、成核 ①均匀成核 晶核在亚稳相中形成时，可把体系的吉布斯自由能变化看成两 项：新相形成时体系自由能的变化（ GV ＜0）；以及新相形成时新相 与旧相界面的表面能（ G ＞0）。 S 3 0 2 0 设球形晶核： G = ﹣（4 π/3）r G v 4 πr G s （1） 达到平衡时dG ／dr = 0 ，得核化条件：2 G0s- r G0v = 0 可得晶核稳定存在的临界半径rC = 2 G0s ／ G0v （2 ） 0 3 0 2 将（2 ）带入（1）得： Gmax = 16/3 ·π（G s ）/ （G v ） = Gc PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 （图一） r＞rC 时， G 下降，晶核才稳定存在，影响成核的外因主要是过 冷度。 ②非均匀成核 （图二） PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 G ′= G f （θ） c c 2 f （θ）= （1-cos θ） （2 + cos θ）/4 当θ＜180°，﹣1＜ cos θ＜1 时， G ′＜ G ，这意味着在基 c c 底平面上形成晶核时所需要的形成功小于在自由空间形成球形晶核 所需要的形成功，也即是说，非均匀核化比均匀核化易实现。 定向凝固炉中，硅熔体在陶瓷