开题报告真空蒸发制备PbSe薄膜及其热电性能研究演示幻灯.pptVIP

开题报告：真空蒸发制备PbSe薄膜  及其热电性能研究 报告人：孙冬冬 指导教师：邹敏敏 2012.3.26 目录 一 .选题背景、研究意义及文献综述 二.研究的基本内容，拟解决的主要问题 三.研究步骤、方法 四.研究工作进度 五.主要参考文献 一 .选题背景、研究意义及文献综述 1.1选题背景： 根据国际能源署(IEA) 2011年11月发布的2011年《世界能源展望》的最新报告预测,2010年到2035年全球能源需求将增长1/3,仅石油的需求将从2010年的8700万桶/天增加至2035年的9900万桶/天。IEA在报告中还警告,如果能源政策不进行大胆改革,全球将陷入不稳定的、低效的高碳能源困境中。 江泽民同志在2008年出版的《中国能源问题研究》中指出:我们务必发展中国特色的新能源道路----坚持节约高效、多元发展和清洁环保的理念,逐步使我们的生存环境成为一个高利用率和低污染、低排放的生态环境。因此发展适合我国国情的新型的、环境友好的、可再生能源及新型能源转换技术具有十分重要的现实意义。 1.2研究意义 近几年，科学家已经在纳米晶PbSe、PbS、PbTe等材料中观察到了“多载流子效应”，俗称“雪崩效应”。利用PbSe等纳米半导体材料制作的太阳能电池最高理论转换效率可望达到44%。PbSe禁带窄、量子效率高、具有良好的光电效应、噪声低、对外界条件的影响反应比较灵敏,广泛应用于红外探测器、红外二维成像显示器、光电阻器、光发射器以及喷射激光等。 1.3.1文献综述 PbSe是IV-VI族,与PbTe和PbS硫族铅化物类似,具有氯化钠型晶体结构,属于面心立方点阵,空间群为Fm3m,每个晶胞内有6个Pb和6个Se 原子。 PbSe的光学指数大，折射率约为4.6，所以在保持光学常数不变的情况下，可以用PbSe量子点调节光的禁带宽度，是光禁带应用中有潜力的材料。 PbSe的电子、空穴、激子的玻尔半径相对较大，分别为23 nm、23nm、46nm，提供了一个接近这种极端的量子局域区域的途径，因此具有强量子局域的所有特点，比如受表面效应影响比较小，表面/体积比非常低。 1.3.2主要制备方法 分子束外延和液相外延 电化学沉积法 脉冲激光沉积法 溶剂热制备法 超声电化学法 化学浴沉积法 真空共蒸发法 1.3.3真空蒸发法 基本原理:是把被蒸发材料加热到蒸发温度，使之蒸发沉积到衬底上形成所需要的膜层。 真空蒸发镀膜最常用的是电阻加热法，其优点是加热源的结构简单，造价低廉，操作方便； 缺点是不适用于难熔金属和耐高温的介质材料。 二.研究的基本内容，拟解决的主要问题 2.1研究的基本内容 采用真空蒸发法研究PbSe 薄膜的沉积工艺； 使用X-射线衍射仪分析薄膜的晶体结构； 利用扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）研究薄膜的表面微观形貌； 利用电子探针（EPMA）研究薄膜的组成。 2.2拟解决的主要问题： 衬底温度对薄膜结晶状态的影响； 薄膜电导率对薄膜热电性能的影响。