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07_06_PN 结 —— 半导体电子论 07_06 PN 结 PN结的构成 性质 —— 单向导电性 电流随电压变化特性 反向状态 一部分是N型半导体材料 一部分是P型半导体材料 性质 —— 单向导电性 电流随电压变化特性 正向状态 1 平衡 PN 结势垒 电子与空穴浓度 —— N型半导体材料__杂质激发的载流子 费密能级在带隙上半部__接近导带 N型和P型材料分别形成两个区 —— N区和P区 电子与空穴浓度 —— P型半导体材料__杂质激发的载流子 费密能级在带隙下半部__接近价带 N区和P区 —— 费密能级不相等 ? —— 在PN结处产生电荷的积累 —— 稳定后形成一定的电势差 P区相对于N区具有电势差 —— PN结势垒作用 电子空穴在PN结处聚集 __内部形成自建电场 —— 阻止N区电子向P区扩散__ P区空穴向N区扩散 平衡PN结 —— 电场对于N区的电子和P区的空穴是一个势垒 —— 载流子的 扩散和漂移运动 相对平衡 —— 抵消原来P区和N区电子费密能级的差别 ? P区电子的能量向上移动 —— 载流子浓度远低于金属 —— PN结处形成 电荷空间分布区域 约微米数量级 扩散和漂移形成平衡电荷分布 —— 满足玻耳兹曼统计 N区和P区空穴浓度之比 热平衡下N区和P区电子浓度 P区和N区电子浓度之比 2 PN 结的正向注入 当PN结加有正向偏压 —— P区为正电压 外电场与自建场方向相反 —— 减弱PN结区的内电场 原有的平衡受到破坏 N 区电子 ? 扩散到 P 区 P 区空穴 ? 扩散到 N 区 —— 非平衡载流子 —— PN结的正向注入 —— 电子扩散电流密度 正向注入 —— P区边界电子的浓度 边界处电子的浓度提高 和 比较 边界处非平衡载流子浓度 正向注入的电子在P区边界积累 —— 同时向P区扩散 非平衡载流子边扩散___边复合 —— 形成电子电流 非平衡载流子密度方程 边界处 电子扩散流密度 —— 电子的扩散系数和扩散长度 注入到P区的电子电流密度 —— 在N区边界空穴积累 同时向N区扩散 边扩散边复合 形成空穴电流 注入到N区的空穴电流密度 空穴扩散流密度 注入到P区的电子电流密度 注入到N区的空穴电流密度 PN结总的电流密度 肖克莱方程 结果讨论 1) ?? 当正向电压V增加时 —— 电流增加很快 2)????PN结的电流和N区少子 、P区少子 成正比 PN结电流中以电子电流为主 —— 如果N区掺杂浓度 远大于P区掺杂浓度 3 PN结的反向抽取 PN结加有反向偏压 —— P区为负电压 —— 只有N区的空穴和P区的电子 在结区电场的作用下 才能漂移过PN结 —— 外电场与自建场方向相同 ___ 势垒增高 漂移运动超过扩散运动 N区的空穴 ? 到达边界 ? 被拉到P区 P区的电子 ? 到达边界 ? 被拉到N区 —— PN结方向抽取作用 PN加有反向电压 势垒变为 —— P区边界电子的浓度 —— 边界少子的浓度减小 反向电流 一般情况下 —— 反向饱和电流 扩散速度 P区和 N区少数载流子的产生率 P区少数载流子—电子的产生率 N区少数载流子—空穴的产生率 饱和电流 —— 反向电流 —— PN结附近产生的少数载流子 又有机会扩散到空间电荷区边界的载流子