[工学]《模拟电路基捶 20090917 第六次课.ppt

晶体二极管：单向导电性 晶体三极管：放大作用 双极型晶体管（ BJT， Bipolar Junction Transistor） 场效应管（ FET， Field Effect Transistor）单极型 晶体管内部载流子运动与外部电流 直流参数 直流电流放大系数 和 极间反向电流ICBO和ICEO 交流参数 交流电流放大系数α和? 频率参数f?和fT 极限参数 集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压 交流参数是描述BJT对于动态信号的性能指标。 极限参数是指BJT安全工作时不可超过的限度。 1. 描述放大状态下BJT内部载流子的传输过程。 2. 放大状态下PNP管所加外部电压的偏置情况。 3. …. 1. 直流电流放大系数 和 （1）共基直流电流放大系数 （2）共射直流电流放大系数 （3） 与 之间的关系 （2.25） （2.26） 2.3.1 BJT直流参数 = ICN/IE =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE = ICN/IB =（IC－ICBO）/IB≈IC/IB 2. 极间反向电流 ICBO和ICEO （1）集电结反向饱和电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 ICBO是BJT在共基极应用且发射极开路时，集电结的反向饱和电流。它和二极管的反向饱和电流的特点相同。 室温时锗三极管的ICBO大小约为(1～2)μA（高频管）到几十μA（低频管），甚至几百μA（大功率低频管）。 硅三极管的ICBO仅千分之几到十分之几μA，大功率管一般也不超过 μA数量级。 （2） 集电结反向穿透电流ICEO ICEO是BJT在共发射极应用且基极开路，外加电压极性如图所示时，流过集电极与发射极间的穿透电流。此时，集电结被加上反向电压，而发射结被加上的是正向偏压。 B E C N N P ICBO ICEO IE= (1+? )IB 当集电结被加上反向偏压时，流过集电结的反向饱和电流是由空穴进入基极和自由电子离开基极形成的。 由于基极开路，只能由从发射区越过发射结扩散到基区的自由电子，来补充源源不断进入集电区的自由电子，并中和进入基区的空穴，其效果是相当于给基极提供了大小等于ICBO的基极电流。根据： ICEO= IE= (1+? )ICBO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 1. 交流电流放大系数α和? （1）交流电流放大系数α （2.27） （2）交流电流放大系数? （2.28） 2.3.2 BJT交流参数 （3）α与?的关系： （2.29） （2.30） = ICN/IB =（IC－ICBO）/IB≈IC/IB 例：VCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = ? = 2. 频率参数 （1）截止频率f? 由于BJT的PN结具有电容效应，当工作频率较高时，BJT电流放大系数? 将随信号频率f的变化而变化，两者之间的关系可近似表示为: （2.31） 其中， ? 0为直流（或低频）电流放大系数；f?为共射电流放大系数的截止频率，指共射电流放大系数由? 0 下降3 dB（1/√2 倍）时所对应的频率。 图2.7 ?的频率特性 （2）特征频率fT 特征频率 fT是当高频? 的模等于1(0dB)时所对应的频率。也就是说，当|? (f)| = 1时，集电极电流增量与基极电流增量相等，共射接法的BJT失去电流放大能力。根据fT的定义和式（2.31）可近似估算出特征频率fT 大部分BJT:β010 根据fT的不同，晶体管可以分为低频管、高频管和微波管。在应用双极型晶体管时，工作频率应该远小于特征频率fT。例如在BJT放大电路中，可以选fT比入信号频率高10倍的管子作为放大管。 集电极最大允许电流ICmax iC在较大的范围内，? 基本不变，但当iC增大到一定数值时，?值就会随着的iC增大而减小。一般ICmax是指?下降到最大值的2/3时所对应的集电极电流。当iC ICmax时， 虽然管子不至于损坏，但?值已经明显减小。 2.3.3 极限参数 晶体管线性运用时，iC不应超过 ICmax。 2. 集电极最大允许耗散功率PCmax PCmax是指集电结上允许损耗功率的最大值，决定了晶体管的温升。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。对于确定型号的BJT，PCmax是一个确定值，即 PCmax=iCvCE=常数，在输入特性平面上为双曲线中的一条。