[工学]吴天飞.ppt

离子电导与电子电导 主讲 : 吴天飞 影响离子电导率的因素 3.2 电子电导 能带理论 金属、绝缘体、半导体能带 费米能级 费米分布函数 的特性： 金属的电阻率 金属：金属键结合 电子气模型 载流子浓度n大 金属的电阻率ρ 半导体的电导率 本征半导体：即无缺陷和杂质的理想半导体。 非本征半导体：n型半导体 p型半导体 本征半导体 载流子：电子、空穴 载流子的产生：由半导体晶格本身提供。由热激发产生相同数目的e和h。 本征电导率 非本征半导体 掺杂半导体能带图 过渡区(以n型为例) n型半导体的电导率 载流子浓度与温度的关系 载流子迁移率的影响因素 载流子迁移率的影响因素 掺杂浓度对迁移率的影响 温度对迁移率的影响 影响电子电导的因素 ●温度 ●杂质及缺陷（ED、EA） （1）杂质缺陷（适用共价键半导体、离子半导体） （2）组分缺陷（适用MO离子键半导体） 谢谢欣赏 低价掺杂，形成p型半导体 高价掺杂，形成n型半导体 随着温度的提高，杂质电离情况产生变化，费米能级也产生变化，导致掺杂半导体中载流子浓度存在极大变化。 随着温度的提高，杂质电离情况产生变化，费米能级也产生变化，导致掺杂半导体中载流子浓度存在极大变化。 弱电离区 中间电离区 强电离区 饱和区 过渡区 本征激发区 温度提高 非本征半导体中载流子浓度 低温弱电离区(以n型为例) 杂质电离产生的电子进入导带， 本征激发可忽略不计。 饱和区(以n型为例) 随着温度的升高，电离逐渐加强。当杂质全部电离时，导带电子浓度等于施主杂质浓度，且载流子浓度与温度无关。 在此区域，要同时考虑饱和电离和本征激发产生的载流子。 为本征载流子浓度 多数载流子 少数载流子 高温本征激发区(以n型为例) 此时本征激发占主要贡献，可忽略施主杂质的影响。 进入本征激发区的温度越高，器件的工作温度相对越高。禁带宽度大，高温、高频、高功率。 硅：100℃；锗：250℃；砷化镓：450℃ 2k 1）电子或空穴的有效质量 取决于晶体种类及结构。 2）平均自由时间 取决于载流子受到的散射(scattering)情况。 散射又与温度、掺杂浓度关系密切 晶体中存在的主要散射机构 ●晶格散射： 晶格点阵附近产生的热振动——晶格振动 晶格引起的散射叫晶格散射 ●电离杂质散射： 电离杂质产生的，对载流子吸引或排斥作用。 迁移率(m2/vs) 1019 1020 1021 1022 1023 1024 1025 杂质浓度（m-3） 0.1 0.01 0.001 电子 空穴 杂质浓度↑， 杂质散射几率↑ τ↓μ↓ 200 300 400 500 600 200 300 400 500 600 0.1 0.01 0.1 0.01 0.001 电子迁移率(m2/vs) 空穴迁移率(m2/vs) 1020m-3 1022m-3 1023m-3 1024m-3 1025m-3 1025m-3 1024m-3 1023m-3 1022m-3 1020m-3 温度(K) 温度(K) 低掺杂半导体： T↑,晶格振动↑，晶格散射↑，τ↓，μ↓ 高掺杂半导体： T↑,晶格振动↑，晶格散射↑，τ↓，μ↓ 载流子运动速度↑，杂质散射↓，τ↑，μ↑ 两者抵消，μ随温度变化不大。 温度对迁移率的影响 迁移率 载流子浓度 前面已讲过共价键半导体杂质缺陷，简单介绍MO离子半导体杂质缺陷、组分缺陷。 * * 本征导电------晶格点阵上的离子定向运动（热缺陷的运动）。 弗仑克尔缺陷为填隙离子---空位对。 肖特基缺陷为阳离子空位---阴离子空位对。 杂质导电------杂质离子的定向运动。 填隙杂质或置换杂质（溶质）。 （1） 离子导电的种类： 热缺陷的运动产生和复合 一方面，由于格点上的原子的热振动脱离格点，产生热缺陷；另一方面，由于相互作用，热缺陷消失。 如：填隙原子运动到空位附近，最后落入到空位里而复合掉。 通过热缺陷不断产生和复合的过程，晶格中的原子就可不断的由一处向另一处作无规则的布朗运动。 如：空位的无规则运动是空位周围的原子由于热振动能量起伏，会获得足够的能量，跳到空位上，占据这个格点，而在原来的位置上出现空位。空位运动实质上是原子的跳动。 晶格中原子扩散现象本质 涉及到的概念： P------单位时间