平面快恢复二极管终端结构的设计-csiadd.PDFVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０２２ 一种 平面快恢复二极管终端结构的设计 １２００ Ｖ 殷丽，王传敏 （北京微电子技术研究所北京， ） １０００７６ 摘要：主要通过对场板和场限环结构的理论分析，总结了器件终端结构影响击穿电压的相关 因素提出采用场限环和场板的组合设计可大大降低环间距氧化层厚度及氧化层电荷对击穿 ， ， 、 电压的影响、简化工艺，获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件 模拟具有 高 Ｍｅｄｉｃｉ １２００Ｖ