总剂量辐照效应对窄沟道SOINMOSFET器件的影响-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 076104 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET 器件的影响 12† 1 1 1 12 宁冰旭 胡志远 张正选 毕大炜 黄辉祥 戴若凡12 张彦伟12 邹世昌1 1) ( 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050 ) 2) ( 中国科学院研究生院, 北京 100049 ) ( 2012 年10 月10 日收到; 2012 年10 月29 日收到修改稿) 本文深入研究了 130 nm Silicon-on-Insulator (SOI) 技术下的窄沟道n 型metal-oxide-semiconductor-field-effect- transistor (MOSFET) 器件的总剂量辐照效应. 在总剂量辐