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光电子5_2 5.6 雪崩光电二极管 Avalanche photodiode（APD） 三层p区： 1层薄，2层微掺（pi 区），3重掺。 不加外电压，耗尽层不扩展到2层p区 电荷分布：不加和 加电压两种情况 电场分布 光子吸收和自由电子空穴对产生区域（pi区） 1p区电子速率大，接近饱和速率获得足够大动能，撞击离子化impact－ionized(离子化撞击)Si共价健，产生电子空穴对，此电子再被加速，再次撞击，形成离子化撞击雪崩过程（avalanche of impact ionization processes） APD的内增益机制（internal gain mechanism） 量子效益值如何变化？ 过量噪声(excess noise)：雪崩是一个统计过程，存在涨落。具有最高撞击离子化效益的载流子发生撞击离子化时，过量噪声最小（Si中为电子）。 雪崩倍增因子M(avalanche multiplication factor): 跟外加电压有关 Reach-through(透过) 速度跟三个因素有关： 1、光产生电子穿过吸收区的时间(\pi 层) 2、雪崩过程建立产生EHPs的时间 3、雪崩过程放出的空穴通过\pi区的时间 结论：APD响应时间长，比pin长。在