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深圳市澳尔星光电科技有限公司 大功率培训 澳尔星光电 工程部 龙工 编辑 2011-5-12 LED简介  Light Emitting Diode  英文縮寫成 LED  中文意思為 “發光二極管”  LED是由半導體材料製成的發光元件。  通過電子的運動，將電能轉換為光能。  屬於 “固態發光器件”。  LED的根本是一个二极管。 第1章 二极管与LED的简介  1.1 二极管的工作原理  1.2 LED的工作原理  1.3 二极管的V-I曲线  1.4 LED的V-I曲线  1.5 二极管的重要参数  1.6 LED的重要参数  1.7 温度对二极管的影响  1.8 温度对LED的影响 1.1二极管的工作原理  晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界 面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时， 由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂 移电流相等而处于电平衡状态。  当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用 使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。  当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形 成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流IS。  当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场 强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产 生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 1.2 LED的工作原理 发光二极管(Light Emitting Diode ：LED) 是由化学元素周期表上三价与五价以及二价及 六价元素，混合形成的化合物半导体材料所制 成。LED发光的原理是对化合物半导体施加电 流，让p区的电洞往n区移动， n区的电子向p区 游走，使得电子与电洞在空乏层相互结合，由 於电子由导电带转移至价电带后丧失能阶使得 过剩的能量以光的形式释出能量，进而形成可 见光。 三价与五价、二价及六价元素 1.3 二极管的重要参数  1、最大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的最大正向 平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热 量超过限度，就会使PN结烧坏。  2、反向击穿电压VBR ：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反 向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧毁。一 般手册给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子 安全运行。  3、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流，其值愈小，则管子 的单向导电性愈好。由于温度增加，反向电流会急剧增加，所以在 使用二极管时要注意温度的影响。  4 、正向压降VD ：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小 电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V，锗二 极管约0.2～0.3V 。 1.4 LED的重要参数  Vf为产品的顺向电压，即是当我们定义了 某个LED 所使用的操作电流之后，在那 个电流順向流过的时候，在LED两侧所产 生的电压差。 电压表读值即为  If为产品的顺向电流，即是经过计算与试 验，在考虑到寿命、发光性能等特性的前 提下，所建议的操作电流。  IR为反向漏电流因LED具有单向导通特性， 所以加以反向电压时,只有极小的漏电流 (IR)通过。IR越大，LED的特性越差。一 般的测试条件为VR=5