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第二章 半导体二极管及基本电路 §2.1 半导体的基本知识 2.1.1 半导体材料 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.2 半导体的共价键结构 2.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 本征激发和两种载流子 2.1.4 杂质半导体 （一）N型半导体（N Type semiconductor） （二）P型半导体（P type semiconductor） §2.2 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成 一PN结的动态平衡过程和接触电位 2.2.2 空间电荷区特点： 2.2.2 空间电荷区特点： 2.2.2 PN结的单向导电性 1. 正向偏置 2. 反向偏置 （二）伏安特性 （二）伏安特性 （二）伏安特性 2.2.3 PN结的反向击穿 2.2.3 PN结的反向击穿 §2.3 半导体二极管 2.3.1 半导体二极管的结构类型 2.3.2 半导体二极管的伏安特性 一、 正向特性 二、反向特性 二、反向特性 2.3.3 半导体二极管的参数 6、 极间电容 半导体二极管的型号 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 §2.4 二极管基本电路及其分析方法 2.4.1 二极管正向V-I特性的建模 1、理想模型 2.4.2 二极管的模型分析法举例 2.5 稳压二极管 3、 反向电流IR : 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 4、 正向压降VF：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 5、 动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 2.3.3 半导体二极管的参数 + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - R U U + + _ _ iR + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - 返回 载流子浓度 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ΔQp ΔQn . . . . . . . . . . . . . . . . . P N U+ΔU ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ - - - - - - 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 返回 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 二极管符号： D代表P型Ge 2.4.2 二极管的模型分析法举例 2.4.1 二极管正向V-I特性的建模 返回 简单的二极管电路如图所示，由二极管、电阻和电压源组成，其分析方法一般有两种： 图解法、模型法（等效电路法）。 I D O 0.7V 理想二极管 2、恒压降模型： 根据二极管伏安特性，可把它分成导通和截止两种状态。 如图所示， VD0.7V 截止 VD0.7V 导通 VD0.2V 截止 VD0.2V 导通 这就是二极管的恒压降模型。 硅管 锗管 恒压降模型 0.7V 3、折线模型 在恒压降模型的基础上，进一步修正二极管的V-I特性。当VD大于门坎电压Vth时，认为通过二极管的电压随着电流的增加而增加。 即在恒压降模型中增加一个定值电阻。 4、二极管的小信号模型： 从二极管伏安特性上看出，二极管导通后，其电压变化量与电流变化量之比近似于常数： 此时的二极管相当于一个动态电阻，其阻值是正向特性曲线在工作点上的斜率的倒数，如图所示。 ID Q ● UD iD uD uD （忽略R上的电压） 返回 1.利用伏安特性的非线性构成（限幅电路） 例1：如图所示： D1 D2 vi vo vo vi |vi|0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi |vi|0.7V时， D1、D2中有一个导通，所以vo =0.7V 例2：如图所示： vo vi D2 D1 vo vi * §2.1 半导体的基本知识 §2.2 PN结的形成及特性 §2.3 半导