[理学]第二章 逻辑门电路.pptVIP

概述： §2.2 BJT的开关特性 1．三极管的三种工作状态 （2）放大状态：当VI为正值且大于死区电压时，三极管导通。有 此时，若调节Rb↓，则IB↑，IC↑，VCE↓，工作点沿着负载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间，三极管工作在放大区， 其特点为： IC＝βIB。 三极管工作在放大状态的条件为： 发射结正偏，集电结反偏 （3）饱和状态：保持VI不变，继续减小Rb，当VCE ＝0.7V时，集电结变为零偏，称为临界饱和状态，对应图（b）中的E点。 此时的集电极电流称为集电极饱和电流，用ICS表示，基极电流称为基极临界饱和电流，用IBS表示，有: 若再减小Rb，IB会继续增加，但IC已接近于最大值VCC/RC，不会再增加，三极管进入饱和状态。饱和时的VCE电压称为饱和压降VCES，其典型值为：VCES≈0.3V。 三极管工作在饱和状态的电流条件为：IB＞ IBS 电压条件为：集电结和发射结均正偏。 2．三极管的动态特性 （1）延迟时间td—从输入信号vi正跳变的 瞬间开始，到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的时间。 （2）上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到0.9ICS所需的时间。 （3）存储时间ts——从输入信号vi下跳变的瞬间开始，到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时间。 （4）下降时间tf——集电极电流从0.9ICS下降到0.1ICS所需的时间。 BJT开通时间 ton(ton =td+tr): 就是建立基区电荷时间. BJT关闭时间 toff(toff=ts+tf): 就是存储电荷消散的时间. 开通时间和关闭时间总称为 BJT的开关时间（几十至几百纳秒） §2.6 CMOS逻辑门电路 2.6.0 MOS管的有关知识回顾 2.6.0 复习MOS管的有关知识 一、TTL与CMOS器件之间的接口问题 两种不同类型的集成电路相互连接，驱动门必须要为负载门提供符合要求的高低电平和足够的输入电流，即要满足下列条件： 驱动门的VOH（min）≥负载门的VIH（min） 驱动门的VOL（max）≤负载门的VIL（max） 驱动门的IOH（max）≥负载门的IIH（总） 驱动门的IOL（max）≥负载门的IIL（总） （b）用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。 （2）对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比如直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。 § 2.6.1 CMOS反相器 § 2.6.2 常用CMOS门电路 § 2.6.3 CMOS逻辑门电路的特点 § 2.6.0 复习MOS管的有关知识 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍MOS器件。 与双极性电路比较，MOS管的优点是功耗低，可达0.01mw，缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的CMOS电路。 1. N沟道MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝 VGS=0时，则D、S之间相当于两个PN结背向的串联， D、S之间不通，iD＝0。 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） 当G、S间加上正电压，且VGSVT时，栅极与衬底之间形成电场，吸引衬底中的电子到栅极下面的衬底表面，形成一个N型的反型层－－构成D、S之间的导电沟道。 VT被称为MOS管的开启电压。 由于VGS ＝0时，无导电沟道，在增强VGS 电压后形成导电沟道，所以称这类MOS管为增强型MOS管。 P型衬底 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） P型衬底 N沟道增强型MOS管具有以下特点： 当VGSVT 时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 。 当VGSVT 时，管子截止，相当于开关断开； 同样，对P沟道增强型MOS管来说： 当|VGS| |VT|时，管子截止，相当于开关断开； 当|VGS| |VT|时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合。 3 MOS开关及其等效电路 ：MOS管工作在可变电阻区，输出低电平 : MOS管截止， 输出高电平 当υI VT 当υI VT MOS管相当于一个由vGS控制的 无触点开关。 MOS管工作在可变电阻区， 相当于开关“闭合”， 输出为低电平。 MOS管截止， 相当于开关“断开” 输出为低电平。 当输入为低电平时： 当输入为高电平时： P沟道MOS管输出特性曲线坐标