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适用于低成本高亮度LED制造的MOCVD技术进展 2009-11-12 　作者： 　来源: 我要评论(0) 核心提示： 由于新应用范围激发的驱动，LED技术快速地进步。用于笔记本电脑、桌上型电脑显示器和大屏幕电视的背光装置是当今高亮度LED的关键应用，为将要制造的大量LED创造需求。除了数量方面之外，这种LED也必须满足关于性能和成本的严格要求。因此，生产技术对LED制造商的成功而言很重要，超出了以往任何时候。 高亮度LED的关键制造技术之一是MOCVD技术。由于整个竖式LED结构采用MOCVD技术生长，这种技术不仅仅决定LED的质量和性能，而且在很大程度上决定LED制造的产量和成本。因此，MOCVD生产率的优化和营运成本的减少是MOCVD系统制造商的一个关键目标。影响MOCVD工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析，我们发现产率（每单位时间生产的晶圆面积）和产量是关键特性。 通过采用更大的晶圆尺寸改善产率（4英寸和6英寸） 所有LED（蓝、绿或白光的LED）的主要部分是以GaN/InGaN/AlGaN材料为基础。到目前为止，大部分LED都是在2英寸蓝宝石衬底上制造的。因此，近年以来，MOCVD产率的任何进展都是通过增加MOCVD反应炉的载荷量而获得。当前GaN/InGaN/AlGaN生长的最流行MOCVD系统是行星反应炉和近耦合喷淋头式反应炉，分别