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简单分析Ram和Rom RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。 例如，日历、短信息和电话簿 （或通讯录） 可能会共享移动设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。双倍数据速率2 存储器 (DDR2) 双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列 (BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒，甚至 2.5 纳 秒的低循环次数 (Cycle time) ，因此可达到 800 兆赫 (MHz) 的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存储器相比，他们具有较长的等待时间 (Latency) 。不过，双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情况下，他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 第一代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP) 或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 提供最高 400 兆赫(MHz)的传输速率，存储容量从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4,8,16 或 32比特的总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的最大区别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间较短。同步动态存储器 (SDRAM) 同步动态存储器（简称为SDRAMs）以高达 200 MHz的时钟频率与总线频率同步运行。它们的存储容量从 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit)，在 4/8/16/32 比特 (bit) 总线带宽下可用。典型工作电压： 3.3伏。 封装： BGA（球形网格阵列）或TSOP（薄型小尺寸封装）。DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。 静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个双稳态电路存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。在静态存储器中比较常见的是：静态随进存储器（SDRAM）。RAM存储单元1．静态存储单元（SRAM） 　　●存储原理：由触发器存储数据 　　●单元结构：六管NMOS或OS构成 　　●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache 　　●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大 　　●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 2．动态存储单元（DRAM） 　　●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元） 　　●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作 　　●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。 　　●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低 　　●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。 　　尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，