磁溅射法制备ZAO.pdfVIP

维普资讯 电工材料 2007No．2 许积文等：室温无反应磁控溅射法制备ZAO导电薄膜及其特性研究 室温无反应磁控溅射法制备 ZAO导电薄膜及其特性研究 许积文，王 华，任明放，成 钢 (桂林电子科技大学 信息材料科学与工程系，广西桂林 541004) 摘要 ：以氧化铝 (Al：0，)掺杂的ZnO陶瓷靶材为基础，室温下采用无氧直流磁控溅射法在载玻片衬底上 制备了ZnO：Al(zA0)透明导电薄膜，研究了不同的Al：0。掺杂量对薄膜微观结构、电阻率和透光率 性能的影响。结果表明：掺杂量大于 1％(质量分数，下同)的薄膜均呈c轴择优取向生长，薄膜致密无裂 纹，具有光滑表面；掺杂量对薄膜的电阻率影响显著，当掺杂量为 3％时，薄膜的电阻率最小，仅为7．4× 10 Q ·cm；掺杂量对薄膜的透光性无明显影响，不同掺杂量的薄膜在可见光区的平均透光率接近 90％。 关键词：直流磁控溅射；ZAO薄膜 ；电阻率；透光率 中图分类号 ：TM205．1；0484 文献标志码：A 文章编号：1671—8887(2007)02—0015—04 Properties of ZAO Films Prepared by Non—reactive DC M agnetron Sputtering atRoom Temperature XU Ji—wen，W ANG Hua，REN M ing—fang，CHENG Gang (DepartmentofInformationMaterialScienceandEngineering，GuilinUniversity ofElectronicTechnology，Guilin541004，China) Abstract：Al—doped zinc oxide transparentconducting thin filmsbased on Al203doped Zn0 ceramic target were prepared on slide glass by non-reactive DC magnetron sputtering at room tem perature．The structural，electricaland opticalpropertiesof the film swith dif— ferentdoping contentswere characterized by XRD ，SEM ，four—pointprobe and UN-V IS-NIR spectrophotometer．The experimentalresults show that the film sare smooth，compactand highly oriented along the c—axiswhen the doping weightratio exceeds lwt％ ．The doping contenthasa great influence on resistivity，butnoton transmittance．The m inimalresis— tivity is 7．4×10 Q 。cm when doping contentis 3wt％ ．and the average transmittance of allthe films in the visible region closes to 90％ ． Key words：magnetron sputtering；ZAO thin film ；resistivity；transmittance 1 引言 材料不仅要具有 良好的导 电性，而且对可见光要具 近年来，消费类 电子产品发展迅速，以液晶显