电子技术第05-1讲场效应管放大器.ppt

NMOS场效应管转移特性 增强型NMOS场效应管转移特性 耗尽型NMOS场效应管转移特性 跨导gm 场效应管的微变等效电路 * 第11章 基本放大电路 11.6 场效应管共源极放大电路 第5讲 答疑 1. 线形电阻的伏安特性曲线 U I R U I U/I=R ?U/ ?I=R 2. 晶体管BE结微变等效电路 IB UBE Q UBEQ / IBQ =R 非线性 ? UBE / ? IB =rbe 在Q点处近似线性 ? UBE ? IB rbe 答疑 3.电流源及其特性曲线 U I IS IS U I U I Ir IS r U I IS I1=IS+Ir1 =IS+U1/r I2=IS+Ir2 =IS+U2/r ?I= I2 -I1 =（ U2 - U1 ）/r = ?U/r r= ?U/ ?I 如何求r？ 答疑 4. 晶体管CE间的微变等效电路 iC uCE ?iC ?uCE rbe ?ib ib rce 流控电流源 在线性放大区，rce很大，可忽略 §10.4 场效应晶体管 场效应管与晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 MOS绝缘栅场效应管（N沟道） （1） 结构 P N N G S D P型基底 两个