第七八章金属和半导体的接触mis结构.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 第七章 金属与半导体的接触 § 7.1 金属与半导体接触及其能级图 1. 金属和半导体的功函数 金属功函数定义：Wm=E0-(EF)m E0真空中的电子能量， (EF)m费米能级，表示一个处于费米能级上的电子要逸出金属所要的最小能量。 结论： 金属半导体接触如WmWs 形成自表面内指向的电场，设体内点势为了0点则金属（半导体表面）点势Vs(0) 电子在半导体表面能量高，形成向下弯曲形状 如WmWs如图 3表面态对接触势垒的影响 金属对势垒高度影响不大 半导体表面存在表面态，对于表面能级 分为施主型表面态、受主表面态 表面处存在距离价带顶 的能级，其以下电子正好全部填满，表面态呈中性。以下被空时表面带正电，呈施主。以上被电子填充时表面带负电，呈受主型。 对多数半导体 约为禁带的三分之一左右 § 7.2 金属与半导体接触整流理论 1扩撒理论 2热电子发射理论 当阻挡层很薄时，势垒对电子影响不大。半导体中的电子可以通过势垒进入金属，反之也可从金属进入半导体。电流归结为计算超越势垒电子的个数。称为热电子发射理论。 结论： 与扩散理论形式相同，，但JsT与所加电压无关，却强烈依赖于温度。 3镜像力和隧道效应的影响 镜像力。在金属表面外的电子在金属表面能感应出正电荷，两者之间