半导体封装流程参考.ppt

IC Process Flow 封装功用 电力和电子讯号的传输。 散热。 保护电路。 方便运输。 封装分类 封装分类 封装分类 Back Grinding背面减薄 DIE Saw晶圆切割 DIE Saw晶圆切割 Die Attach 芯片粘接 Die Attach 芯片粘接 FOL– Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化 Wire Bonding 引线焊接 Wire Bonding 引线焊接 Wire Bonding 引线焊接 Wire Bonding 引线焊接 Molding（注塑） Molding（注塑） Molding（注塑） De-flash（去溢料） Plating（电镀） Form（成型） Form（成型） * 半导体封装 Customer 客 户 IC Design IC设计 Wafer Fab 晶圆制造 Wafer Probe 晶圆测试 Assembly Test IC 封装测试 SMT IC组装 什么是封装 封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。 可以这么理解： 芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。 按封装材料划分为： 金属封装 陶瓷封装 塑料封装 金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额； 按与PCB板的连接方式划分为： PTH PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的 SMT Package Lead PCB 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等； 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 封装流程 Wafer back-side grinding Die sawing Epoxy paste Die attach Wire bonding Molding 封装流程 Back-side Marking (Laser/ink) SE8117T33 1101-LF Trimming Solder plating Forming Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带 将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到  封装需要的厚度（8mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域  同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度； 高速旋转的砂轮 真空吸盘工作台 Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗 将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落； 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的  Die Attach等工序； Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； Wafer Saw Machine Saw Blade(切割刀片)： Life Time：900~1500M；Spindlier Speed：30~50K rpm：Feed Speed：30~50/s; Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化 Epoxy Storage：零下50度存放； Epoxy Aging：使用之前回温，除去气泡； Epoxy Writing：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选； 芯片拾取过程：1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer  到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s； Epoxy Wri