第四章逻辑芯片扩展设计1.pptVIP

第四章: 大规模逻辑芯片设计 一、半导体存储器 EEPOM/RAM EPROM 27128 27128 写入时序 27128工作方式 例：EEPROM 98C64A 电擦除/写可编只读存储器 工作方式 2. 磁卡 三种规格的磁卡尺寸 数据的限制位置 磁道位置 调制编码 通用存储器IC卡芯片 智能存储器IC卡芯片的逻辑结构 触点定义与位置 例: AT93系列 读时序 擦除/写使能（EWEN） 写时序 全写（WRAL）时序 擦除时序 二、存储系统的几个主要技术指标 1．容量 2．速度 3。功耗 三、存储器系统设计的几个主要步骤 1．分配存储空间 2．选择合理的存储器 3．存储器地址分配 4．负载核对 5．存储速度核对 6．合理地设计逻辑电路 1．线性译码 2．全译码、74Ls139,74Ls138 3．局部译码 体译码 * * 可编程逻辑器件PLD 低密度可编程逻辑器件(LDPLD) 高密度可编程逻辑器件(HDPLD) PROM PLA PAL GAL EPLD FPGA CPLD 500门~750门 750门以上 可擦除 可编寄存器 可编I/O等 内连线固定 可擦除 可编宏单元 可编I/O等 可编内连线 同CPLD 功能按块排列 速度更快 25万门/片 EPROM 提供存储 译码表 提供存储 与或阵列可编程 提供存储 输出方式可组态 宏单元代替了固体单元 §4-1 存储芯片扩展 半导体存储器(RAM)结构 ? ? 方式 PGM OE Vpp Vcc CE DB 读 H L +5V 5V L OUT 等待 x x 5V 5V H 高阻 编程 脉冲 H +25V 5V L IN 编程验证 L L 25V 5V L OUT 编程禁止 L H X 5V L 高阻 方式 READY/BUS OE WE Vcc CE DB 读 H L H 5V L OUT 等待 x x H 5V H 高阻 编程 L H 100ns 5V L IN 卡类型 宽度 高度 厚度 ID-1 85.6mm 53.98mm 0.76mm ID-2 105mm 74mm 0.76mm ID-3 125mm 88mm 0.76mm 几种译码方式 *