功率MOSFET开关电路的吸收回路试验研究Ξ.PDFVIP

58 《电力电子技术》1997 年第 4 期 　1997. 11 功率 MOSFET 开关电路的吸收回路实验研究 Experimental Development of the Snubber Circuit for Power MOSFET Switch Circuit ( ) 西安交通大学 　曹建章 　宋建平 　唐天同 　 西安 　710049 摘要 :介绍由 MOSFET 管构成的全桥开关电路在感性负载下大电流工作时两种吸收回路的实验研 究结果。 Abstract :This paper introduces the experimental results of two snubber circuits for the fullbridge switch circuit constituted by MOSFETs in case of the inductive load and large current operation. 叙词 :实验/ 金属氧化物半导体场效应晶体管 　开关电路 　吸收回路 Keywords :experiment/ MOSFET;switch circuit;snubber circuit 1 　前　言 实验的研究结果表明 , 图 2 示出的三种吸 图 1 示出由 MOSFET ( 简称 MOS) 管构成 收电路 ,在感性负载大电流工作时 ,改变吸收回 最基本的全桥开关电路及其输入、输出波形。 路中的 RC 值 ,输出方波的正幅值下降沿和负 在图 1a 的x 输入端 xin和 y 输入端 yin加上图 1b 幅值上升沿的邻近可归纳为三种波形 ,见图 3 。 所示的方波信号 ,则负载两端可获得图 1c 所示 波形特征是幅值近似为指数衰减 ,衰减延迟随 的电压或电流波形。如果是纯电阻性负载 ,输 电流大小、感抗强弱而变化,且振荡与延迟是不 出波形线性好、失真度很小 ,上升沿和下降沿的 可调和的矛盾。振荡小 ,延迟长 ;延迟小 ,振荡 延迟时间仅为几纳秒[1 ] ; 如果是感性负载 ,输 厉害。 出方波 ,尤其是正幅值下降沿和负幅值上升沿 的邻近会出现严重的衰减振荡 ,时间延迟可达 几百微秒[2 ] , 最大幅值可超出方波幅值的几 倍。通常情况下 ,为了使 MOS 管安全有效地 工作 ,在 MOS 管上跨接图 2 所示的几种 RC 吸 收回路[1 ,3 ] , 以减轻MOS 管消耗关断能量的负 图 3 　方波正幅值下降沿和负幅值上升沿 的邻近点波形特征 担 ,从而改变了输出波形的非线性特性。 在实际应用中 , 除考虑保护器件不受损坏 外 ,还必须考虑衰减特性的细节。对用于地球 物理瞬变电磁信号检测的发射装置 ,采用功率 MOS 管或 IGB T 管构成全桥开关电路 ,负载为 ( ) ( 大回线 半径约为 50m , 电流大于 10A 甚至 ) 100A 以上 。为了有效抑制观测系统中直流偏 图