原创力文档基于psp模型的全耗尽soi-mosfet表面电势研究
毕业设计（论文）
题 目 基于PSP模型的全耗尽SOI-MOSFET 表面电势研究
电信 院 微电子学 系 班
学生姓名
学 号
指导教师 张国和
设计所在单位 电信学院微电子学系
2009年 6月
系 （ 所 ）
系 (所) 主任
批 准 日 期
毕业设计(论文)任务书
电信 院 微电子学 系 班 学生
毕业设计(论文)课题 基于PSP模型的全耗尽SOI-MOS
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