模电1-3场效应三极管.pptVIP

1.3 半导体场效应管 1.3.1结型场效应管 1.3.2绝缘栅场效应管 1.3.3场效应管的主要参数及电路模型 1.3.4双极型和场效应型三极管的比较 场效应三极管仅由一种载流子参与导电—单极型器件 用输入电压控制输出电流的的半导体器件—VCCS 从参与导电的载流子来分，有N沟道器件和P沟道器件 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类 1.3.1 结型场效应管 1.结型场效应三极管的结构 (1) 栅源电压对沟道的控制作用 (2) 漏源电压对沟道的控制作用 A. 当uDS为0或较小时 uGD＞UGS(th)，沟道呈斜线分布 2.N沟道耗尽型MOSFET 1.3.3 场效应管的主要参数和电路模型 1. 场效应三极管的主要参数 ① 开启电压UGS(th) (或UT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 附录 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。 一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场 效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 几种常用的场效应三极管的主要参数表 半导体三极管图片 半导体三极管图片 1.3.4 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 N沟道增强型MOSFET是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 A. 当uGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。B. 当uGS＜0时，PN结反偏，耗尽层加宽，漏、源间的沟道将变窄，iD将减小，uGS继续减小，沟道继续变窄，iD继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS(off) 在栅极加上电压，且uGS＞UGS(off)，若漏源电压uDS 从零开始增加，则uGD=uGS-uDS将随之减小。使靠近漏 极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。 当uDS增加到使uGD=uGS-uDS=UGS(off)时，在紧靠漏 极处出现预夹断，如图1.3.4(b)所示。当uDS继续增加， 漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。 * * 1.结型场效应三极管JFET