第三章半导体中载流子的统计分布-朱俊-09.pptx

;●状态密度 ●费米能级和载流子的统计分布 ●本征半导体载流子浓度的计算 ●杂质半导体载流子浓度的计算 ●简并半导体载流子浓度的计算;§3.1 状 态 密 度;;热平衡时载流子浓度决定于两个因素：;二、状 态 密 度;状态密度的计算：;1、理想晶体的k空间的状态密度;∴;;;∴单位 k 空间允许的状态数为：;波矢k ～ 电子态的关系;2、半导体导带底附近和价带顶附近的 状态密度;球形等能面的半径k：;设这个球内所包含的电子态数为Z(E)：;导带底附近单位能量间隔的电子态数—量子态（状态）密度为：;(b)价带顶部;对Si、Ge、GaAs材料,价带顶有重空穴和轻空穴：;称mdp为价带空穴状态密度有效质量;(2)极值点ko≠0,(旋转椭球等能面情况);令：;同理，价带顶状态密度：;§3.2 费米能级和载流子统计分布;整个导带的电子数N为：;f(E);二、费米（Fermi）分布函数与费米能级;没有被电子占有的几率为：;2、费米能级EF的特点：;(1)、 f(E)与体系所处的温度T直接相关 ;例子：当量子态的能量比费米能级高 或低5kT时：;一般认为，在温度不高时，能量大于费米能EF的能级基本没有被电子占据；小于费米能EF的能级的量子态基本被电子所占据。;(2)、f(E)与体系费米能EF相关性 ;三、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数;可见，此时费米