功率型LED的封装技术.docVIP

功率型LED的封装技术 一 引言 半导体发光二极管简称LED, 从上世纪六十年代研制出来并逐步走向市场化,其封装技术也是不断改进和发展。LED 由最早用玻璃管封装发展至支架式环氧封装和表面贴装式封装，使得小功率LED 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始，由于LED 外延芯片技术上的突破，使超高亮四元系AlGaInP 和GaN 基的LED 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白光，又在器件输入功率上有很大提高。目前单芯片1W 大功率LED 已产业化，3W、 5W， 甚至10W 的单芯片大功率LED 也已推出，并部分走向市场。这使得超高亮度LED 的应用面不断扩大，首先进入特种照明的市场领域，并向普通照明市场迈进。由于LED 芯片输入功率的不断提高，对这些功率型LED 的封装技术提出了更高的要求。功率型LED 封装技术主要应满足以下二点要求：一是封装结构要有高的取光效率，其二是热阻要尽可能低，这样才能保证功率LED 的光电性能和可靠性。所以本文将重点对功率型LED的封装技术作介绍和论述。 二 功率型LED 封装技术现状 由于功率型LED 的应用面非常广，不同应用场合下对功率LED 的要求不一样。一般功率型LED 分为功率LED 和W 级功率LED 二种。当输入功率小于1W 的LED 几十mW功率LED 除外叫做功率LED ，当输入功率等于或大于1W 的LED 叫做W 级功率LED。