[信息与通信]半导体器件物理第三章_754505182.pdfVIP

微电子学研究所 微电子与纳电子学系 半导体器件 物理进展 第三章 PN结与MOS结构物理 PN Junction and MOS Structure Physics 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 本章主要内容 PN结的构成及其能带图 PN结的特性及原理 MOS结构及其能带图 MOS结构的阈值电压 MOS结构的C －V特性 MOS结构在高电场下的隧穿效应 微电子学研究所 微电子与纳电子学系 1. PN结的构成及其能带图 理想情况下，由一块N型半导体材料和一块P型半 导体材料相接触，就可以构成一个PN结。 在实际半导体器件与集成电路中，通常是通过材 料的外延生长以及扩散或离子注入等工艺技术来制造 各种PN结。PN结的最主要特点