[信息与通信]第2章器件物理基础.pptVIP

模拟CMOS集成电路设计第二章 器件物理基础 N型、P型半导体 N型(Negative)：型掺杂是在硅中添加磷 ,磷和砷的外层都有五个电子，因此它们在进入硅晶格时不会处在正确的位置上。第五个电子没有可供结合的键，因此可以自由地到处运动，只需很少的一点杂质就可以产生足够多的自由电子，从而让电流通过硅。N型硅是一种良好的导体。电子具有负(Negative)电荷，因此称作N型硅。 N型、P型半导体 P型(Positive)：对于P型掺杂，则使用硼或镓作为掺杂剂。硼和镓都只有三个外层电子。在混入硅晶格后，它们在晶格中形成了“空穴”，在此处硅电子没有形成键。由于缺少一个电子，因此会产生正（Positive）电荷，故此称作P型硅。孔可以导电，空穴很容易吸引来自相邻原子的电子，从而使空穴在各原子之间移动。P型硅是一种良好的导体。 PN结的形成 PN结的单向导电性（即正向导通，反向截止） 一、正偏特性 二、反偏特性 结论： PN结具有单方向导电特性。 MOS器件结构 MOS Device Structure （MOS） MOS器件结构 1、MOS器件是四端器件，电压控制器件 2、MOS器件的源和漏在几何上是等效的，可互换。 3、衬底端的电平必须是PN结反偏，用过重掺杂的欧姆接触连接 4、 N阱CMOS工艺，NMOS共享一个衬底端，PMOS有各自 的衬底端。接法？ MOS器件