[信息与通信]高速MOS驱动电路设计和应用指南.pdf

高速MOS 驱动电路设计和应用指南 摘要 本篇论文的主要目的是来论证一种为高速开关应用而设计高性能栅极驱动 电路的系统研究方法。它是对“一站买齐”主题信息的收集，用来解决设计中最 常见的挑战。因此，各级的电力电子工程师对它都应该感兴趣。 对最流行电路解决方案和他们的性能进行了分析，这包括寄生部分的影响、 瞬态的和极限的工作情况。整篇文章开始于对MOSFET 技术和开关工作的概述， 随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。仔细描述了设计过程中关于接地 AC 和高边栅极驱动电路、 耦合和变压器隔离的解决方案。其中一个章节专门来 解决同步整流器应用中栅极驱动对MOSFET 的要求。 另外，文章中还有一些一步一步的参数分析设计实例。 简介 MOSFET 是MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor 的首字母缩写， 它在电子工业高频、高效率开关应用中是一种重要的元件。或许人们会感到不可 思议，但是FET 是在1930年，大约比双极晶体管早20 年被发明出来。第一个 FET 60 MOSFET 信号电