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RESURF（Reduced SURface Field，降低表面电场）原理首先由飞利浦公司J. Appels提出并应用于结隔离器件[]。目前，RESURF原理已经成为了横向高压器件设计的基本准则[。如图1-1，RESURF原理的基本结构由低掺杂的P型衬底和低掺杂的N型外延层构成，在薄外延层上注入形成P阱和N+、P+，包括了两个P/N结：横向P-well/N-epi结和纵向P-sub/N-epi结。横向结由于结两端有着更高的掺杂浓度，因此相比纵向结的击穿电压更低。RESURF基本原理是利用横向结和纵向结的相互作用使外延层在横向结达到临界雪崩击穿电场前全耗尽，通过合理优化器件参数让器件的击穿发生在纵向结，从而起到了降低表面电场的作用[]。 对于如图1-2（a）所示的厚外延LDMOS，横向结的耗尽不受纵向结耗尽的影响，由于纵向结耐压大于横向结耐压，因此器件耐压完全由横向结来决定。此时厚外延LDMOS模型等同于一个横向P/N结。表面电场首先达到临界雪崩击穿电场强度而发生击穿。 对于如图1-2（b）所示的薄外延LDMOS，横向结的耗尽受到纵向结耗尽的影响。在漏极电压与厚外延LDMOS击穿电压相同的情况下，横向结将耗尽更长的距离，表面电场峰值将低于临界雪崩击穿电场强度，因此漏极可以施加更高的电压。合理优化器件参数，可以让器件纵向结先达到临界雪崩击穿电场强度，消除了器件表面击穿。如图1-2（