[工学]模拟电子技术基础第四版 第3章 门电路.ppt

* 1. 电流传输特性 当Vi 由0V → 10V时，在t1 ～ t2内会出现TN及TP同时导通的现象。 如： Vi=5V VTN，T1 on VGS2= －（VDD-5V）=－5VVTP ，T2 on 即：既满足Vi VTN 也满足 VDD -Vi |VTP| VTN Vi VDD-|VTP| 增加瞬间导通功耗 二、电压传输特性和电流传输特性 * 阈值电压 VTH = VDD/2 2. 电压传输特性 * 四、CMOS的特性 功耗极微 电源总功耗 P = P静 + P动 P静 = 10μw P动 = 瞬间导通功耗 + 输出端电容充、放 电引起的功耗 * 抗干扰能力强 * 3. 电源利用丰富 输入噪声容限 * 4. 电源电压允许变化范围大 * 3.2.3 其他功能的CMOS门电路 1. CMOS与非门 分析电路图得到真值表 分析输出电阻 讨论：输入端扩展带来的影响。 * * 2. CMOS或非门 分析电路图得到真值表 分析输出电阻 讨论：输入端扩展带来的影响。 * * 带缓冲级的CMOS与非门电路 * 带缓冲级的CMOS或非门电路 * CMOS传输门和双向模拟开关 1、CMOS传输门 * 设： 控制信号 高电平为 10 V，即 控制信号 低电平为 0 V，即 1） 时， Vi 在 0 V ~ 10 V 之间取值。 2） 时， 两管同时截止，传输门截止 总有一管导通，传输门导通 * 2. 双向模拟开关 * 例： 漏极开路的门电路（OD门） OD门可将输出并联使用，实现线与或用 作电平转换、驱动器： * 3.3 TTL门电路 * 特性： 1.电流： 2.工作状态： 导通 截止 放大饱和 1）是否导通判别： 导通后， 3.3.1 三极管的特性 三极管的结构 * 2）截止时的等效电路： 3）放大与饱和的不同： * 4）饱和特点： 5）饱和时的等效电路： 结论： 1.要使三极管工作于开关接通状态，需使之工作于饱和区。 2.要使三极管工作于开关断开状态，需使之工作于截止区。 * 3.3.2 三极管反相器 试分析电路特性。 * 3.3.3 TTL门电路 1. 思考 * 2. TTL反相器 * 学习要点 掌握各种TTL门电路和CMOS门电路的逻辑功能。 理解CMOS门电路的主要参数及TTL电路与 CMOS 电路的主要差异。 了解二极管、双极型晶体管和MOS管的开关特性。 第三章 门电路 * 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 门电路中以高/低电平表示逻辑状态的1/0 * 获得高、低电平的基本原理 : * 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 高/低电平都允许有一定的变化范围 * 3.1 半导体二极管门电路 * 3.1.1 半导体二极管的开关特性 * 1. 导通条件： 导通时： （钳位作用） 正向电阻很小，相当于 一个闭合的开关。 2. 截止条件： 截止时 ，反向电阻很大，相当于一个断开的开关。 * 3.1.2 二极管与门 设： 3 V以上——逻辑“1” 0.7V以下——逻辑“0” 3.1.3 二极管或门 * 设： 2.3 V以上——逻辑“1” 0 V以下——逻辑“0” * 二极管构成的门电路的缺点： 电平有偏移 带负载能力差 3.2 CMOS电路 * 3.2.1 MOS管的开关特性 MOS管的优点： 集成度高、功耗小、工艺简单 晶体管——流控元件 MOS管——压控元件，栅极绝缘 * * 一、MOS管的结构 金属层 氧化物层 半导体层 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 栅极未加电源：漏、源之间呈现高阻抗 导通后漏、源之间的电阻很小， * 以N沟道增强型为例： * 以N沟道增强型为例： VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 * ①截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω ②恒流区： iD 由VGS决定，与VDS 关系不大 ③可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定 时，这