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SEM 扫描电子显微镜 引言 电子与固体试样的交互作用 扫描电镜结构原理 表面形貌衬度原理与应用 原子序数衬度原理与应用 扫描电镜的主要特点 电子与固体试样的交互作用 二、二次电子 二次电子是指在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外层电子。 二次电子的能量较低，一般都不超过50 ev。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。 二次电子一般都是在表层5-10 nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效地显示样品的表面形貌。 不能进行微区成分分析 三、吸收电子 入射电子进人样品后，经多次非弹性散射能量损失殆尽,最后被样品吸收。 当电子束入射一个多元素的样品表面时，则产生背散射电子较多的部位(原子序数大)其吸收电子的数量就较少。 可进行微区成分定性分析。 四、透射电子 如果被分析的样品很薄．那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。 它含有能量和入射电子相当的弹性散射电子，还有各种不同能量损失的非弹性散射电子。 可进行微区成份定性分析 五、特征Ｘ射线 当样品原子的内层电子被入射电子激发，原子就会处于能量较高的激发状态，此时外层电子将向内层跃迁以填补内层电子的空缺，从而使具有特征能量的Ｘ射线释放出来。 用Ｘ射线探测器测到样品微区中存在一种特征波长，就可以判定这个微区中存在着相应的元素。 　六、俄歇电子 在特征x射线过程中，如果在原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量并不以X射线的形式发射出去，而是用这部分能量把空位层内的另—个电子发射出去，这个被电离出来的电子称为～。 俄歇电子能量各有特征值，能量很低，一般为50-1500eV. 俄歇电子的平均白由程很小(1nm左右). 只有在距离表面层1nm左右范围内(即几个原子层厚度)逸出的俄歇电子才具备特征能量，因此俄歇电子特别适用于表面层的成分分析。 表面形貌衬度原理及应用 一、二次电子成像原理 二、二次电子形貌衬度应用示例 原子序数衬度原理及应用 一、背散射电子成像 一、背散射电子成像 一、背散射电子成像 一、背散射电子成像 一、背散射电子成像 一、背散射电子成像 二、吸收电子成像 二、吸收电子成像 扫描电镜的主要特点 一、分辨率高 扫描电子显微镜分辨率的高低和检测信号的种类有关。主要信号的分辨率如下表： 　　 　　 　　 　　 　　 目前用W灯丝的SEM，分辨率已达到3nm-6nm, 场发射源SEM分辨率可达到1nm 。 高分辨率的电子束直径要小，分辨率与电子束直径近似相等。 二、放大倍数高 当入射电子束作光栅扫描时，若电子束在样品表面扫描的幅度为As，相应地在荧光屏上阴极射线同步扫描的幅度是Ac。则： 放大倍数= Ac /As 。 由于显微镜的荧光屏尺寸是固定不变，电子束在样品上扫描一个任意面积的矩形时，在阴极射线管上看到的扫描图像大小都会和荧光屏尺寸相同。因此我们只要减小镜筒中电子束的扫描幅度，就可以得到高的放大倍数，反之，放大倍数就减小。 例如荧光屏的宽度Ac ＝100mm时，电子束在样品表面扫描幅度As =0.005mm(5μm)，放大倍数为20000倍。 二、放大倍数高 　　从几十放大到几十万倍，连续可调。放大倍率不是越大越好，要根据有效放大倍率和分析样品的需要进行选择。如果放大倍率为M，人眼分辨率为0.2mm，仪器分辨率为5nm，则有效放大率M＝0.2?106nm?5nm=40000（倍）。如果选择高于40000倍的放大倍率，不会增加图像细节，只是虚放，一般无实际意义。 景深D大 保真度好 　　样品通常不需要作任何处理即可以直接进行观察，所以不会由于制样原因而产生假象。这对断口的失效分析特别重要。 样品制备简单 　　样品可以是自然面、断口、块状、粉体、反光及透光光片，对不导电的样品只需蒸镀一层20nm的导电膜。 另外，现在许多SEM具有图像处理和图像分析功能。有的SEM加入附件后，能进行加热、冷却、拉伸及弯曲等动态过程的观察。 THANKS 在原子序数Z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。 原子序数衬度原理 原子序数对背散射电子产额的影响 因此，在进行分析时，样品上原子序数较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故荧光屏上的图像较亮。 利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上是亮区，而轻元素区域则为暗区 原子序数衬度原理 ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子成分像，1000× 由于ZrO2相平均原子序数远高于Al2O3相和SiO2 相，所以图中白色相为斜锆石，小的白色粒状斜锆石与灰色莫来石混合区为莫来石－斜锆石共析体，基体灰色相为莫来石。 吸收电子的