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电子技术(教案详细)
南 通 航 运 职 业 技 术 学 院
2010年~ 2011年 第 1 学期
教 案
系(部) 交通工程系 教师姓名 李胜永 课程名称 电 子 技 术 授课班级 港自3091/3092 总时数 45 本学期时数 45 授课日期 9月8日 授课时数 2 授课形式 讲 授 授课章节名称 半导体二极管及其应用
§10-1 半导体及PN结
§10-2 半导体二极管(1) 教学目的 1. 掌握半导体的导电特性;
2. 掌握PN结的单向导电性;
3. 掌握二极管的伏安特性。 教学重点、难点 1. 半导体的导电特性;
2. PN结的单向导电性;
3. 二极管的伏安特性; 更新、补充、 删节内容 无 课外作业 复习本次课的内容 课后体会 这部分内容属模拟电子技术的基础知识,务必使学生们掌握PN结的单向导电特性,为学习二极管及三极管的有关知识打下基础。 授课主要内容或纲要 使用教具、挂图或其他教学手段 时间分配 课程介绍:考试科目,3(1-14)=42;
基础:电路分析
学习本课程的要求:
上课听懂,课后及时复习巩固,认真完成作业
第十章 半导体二极管及其应用
§10.1 半导体及PN结
一、 半导体的导电特性
1. 据导电能力强弱分:导体、半导体、绝缘体;
2. 单晶体:又称本征半导体,常见材料有硅(Si)、锗(Ge)。
【Remark】单晶体中几乎无载流子→常态下导电能力很差;
【半导体的导电特性】
(1) 导电性:自由电子和空穴两种载流子共同作用;
(2) 具有光敏、热敏和掺杂特性。
3. 掺杂半导体
(1) 电子型(N型)半导体:主要依靠自由电子导电;
(2) 空穴型(P型)半导体:主要依靠空穴导电;
5分钟
25分钟
授课主要内容或纲要 使用教具、挂图或其他教学手段 时间分配 (3) 常见掺杂半导体:硅材料N、P型,锗材料N、P型;
【Remark】掺杂半导体本身不带电。
二、PN结
1.形成过程 浓度差→多子扩散→空间电荷区(N正,P负)
↓
内电场
↙ ↘
阻碍多子扩散 促进少子漂移
↘ ↙
多子扩散与少子漂移达到动态平衡
↓
具有一定厚度的稳定的空间电荷区(PN结)
【总结】由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
扩散运动:由载流子浓度差引起的多数载流子的运动;
漂移运动:由内电场作用引起的少数载流子的运动
2.PN的导电性——具有单向导电性
PN结加正向电压(P+N—,正向偏置):呈低阻导通;
PN结加反向电压(N+P—,反向偏置):呈高阻截止。
§10.2 半导体二极管
一、结构和分类
1.构成: PN结,具有单向导电性
2.文字符号,电路符号
3.分类
据制造工艺:点接触型、合金面结合型、平面扩散型;
据 材 料:硅、锗和砷化镓二极管等;
二、半导体二极管的伏安特性
1.正向特性
(1) 死区:正向电压很小,正向电流几乎为零;
(2) 导通:正向电压大于死区电压,正向电阻变很小,正向电流迅速增加,正向压降基本稳定;
2.反向特性
(1) 反向截止:反向电压较小,反向电流很小;
(2) 反向击穿:反向电压超过反向击穿电压,反向电流迅速增大,二极管失去单向导电性;
【温度对特性的影响】温度升高,正向特性曲线将左移,反向特性曲线将下移
布置作业
补充分类:
据用途:整流二极管、稳压二极管、发光二极管等;
据功率:大功率、中功率和小功率二极管。
图10-6 硅二极管的伏安特性曲线
20分钟
10分钟
10分钟
15分钟
5分钟 授课日期 9月10日 授课时数 2 授课形式 讲 授 授课章节名称 §10-2 半导体二极管(2)
§10-3 二极管的应用(1) 教学目的 1. 掌握二极管的两种基本等效电路;
2. 熟悉二极管的主要参数;
3. 掌握二极管极性的测试方法;
4. 掌握单相半波整流工作原理及电压、电流的计算。 教学重点、难点 重点:1. 二极管两种基本等效电路;
2. 二极管极性的测试方法;
3. 单相半波整流工作原理。
难点:单相半波整流工作原理 更新、补充、 删节内容
无 课外作业 复习本次课的内容,课本146页习题10-6 课后体会 二极管的伏安特性非常重要,掌握其伏安特性及两种基本等效电路是理解学习二极管应用的基础,应使学生们牢固掌握这些知识。 授课主要内容或纲要 使用教具、挂图或其他教学手段 时间分配 复习提问
续上次课
【二极管的等效电
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