电子技术(教案详细).doc

南 通 航 运 职 业 技 术 学 院 2010年～ 2011年 第 1 学期 教 案 系（部） 交通工程系 教师姓名 李胜永 课程名称 电 子 技 术 授课班级 港自3091/3092 总时数 45 本学期时数 45 授课日期 9月8日 授课时数 2 授课形式 讲 授 授课章节名称 半导体二极管及其应用 §10-1 半导体及PN结 §10-2 半导体二极管(1) 教学目的 1. 掌握半导体的导电特性； 2. 掌握PN结的单向导电性； 3. 掌握二极管的伏安特性。 教学重点、难点 1. 半导体的导电特性； 2. PN结的单向导电性； 3. 二极管的伏安特性； 更新、补充、 删节内容 无 课外作业 复习本次课的内容 课后体会 这部分内容属模拟电子技术的基础知识，务必使学生们掌握PN结的单向导电特性，为学习二极管及三极管的有关知识打下基础。 授课主要内容或纲要 使用教具、挂图或其他教学手段 时间分配 课程介绍：考试科目，3(1-14)＝42； 基础：电路分析 学习本课程的要求： 上课听懂，课后及时复习巩固，认真完成作业 第十章 半导体二极管及其应用 §10.1 半导体及PN结 一、 半导体的导电特性 1. 据导电能力强弱分：导体、半导体、绝缘体； 2. 单晶体：又称本征半导体，常见材料有硅(Si)、锗(Ge)。 【Remark】单晶体中几乎无载流子→常态下导电能力很差； 【半导体的导电特性】 (1) 导电性：自由电子和空穴两种载流子共同作用； (2) 具有光敏、热敏和掺杂特性。 3. 掺杂半导体 (1) 电子型(N型)半导体：主要依靠自由电子导电； (2) 空穴型(P型)半导体：主要依靠空穴导电； 5分钟 25分钟 授课主要内容或纲要 使用教具、挂图或其他教学手段 时间分配 (3) 常见掺杂半导体：硅材料N、P型，锗材料N、P型； 【Remark】掺杂半导体本身不带电。 二、PN结 1.形成过程 浓度差→多子扩散→空间电荷区(N正，P负) ↓ 内电场 ↙ ↘ 阻碍多子扩散 促进少子漂移 ↘ ↙ 多子扩散与少子漂移达到动态平衡 ↓ 具有一定厚度的稳定的空间电荷区（PN结） 【总结】由离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 扩散运动：由载流子浓度差引起的多数载流子的运动； 漂移运动：由内电场作用引起的少数载流子的运动 2.PN的导电性——具有单向导电性 PN结加正向电压(P+N—，正向偏置)：呈低阻导通； PN结加反向电压(N+P—，反向偏置)：呈高阻截止。 §10.2 半导体二极管 一、结构和分类 1.构成： PN结，具有单向导电性 2.文字符号，电路符号 3.分类 据制造工艺：点接触型、合金面结合型、平面扩散型； 据 材 料：硅、锗和砷化镓二极管等； 二、半导体二极管的伏安特性 1.正向特性 (1) 死区：正向电压很小，正向电流几乎为零； (2) 导通：正向电压大于死区电压，正向电阻变很小，正向电流迅速增加，正向压降基本稳定； 2.反向特性 (1) 反向截止：反向电压较小，反向电流很小； (2) 反向击穿：反向电压超过反向击穿电压，反向电流迅速增大，二极管失去单向导电性； 【温度对特性的影响】温度升高，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移 布置作业 补充分类: 据用途：整流二极管、稳压二极管、发光二极管等； 据功率：大功率、中功率和小功率二极管。 图10-6 硅二极管的伏安特性曲线 20分钟 10分钟 10分钟 15分钟 5分钟 授课日期 9月10日 授课时数 2 授课形式 讲 授 授课章节名称 §10-2 半导体二极管(2) §10-3 二极管的应用(1) 教学目的 1. 掌握二极管的两种基本等效电路； 2. 熟悉二极管的主要参数； 3. 掌握二极管极性的测试方法； 4. 掌握单相半波整流工作原理及电压、电流的计算。 教学重点、难点 重点：1. 二极管两种基本等效电路； 2. 二极管极性的测试方法； 3. 单相半波整流工作原理。 难点：单相半波整流工作原理 更新、补充、 删节内容 无 课外作业 复习本次课的内容，课本146页习题10-6 课后体会 二极管的伏安特性非常重要，掌握其伏安特性及两种基本等效电路是理解学习二极管应用的基础，应使学生们牢固掌握这些知识。 授课主要内容或纲要 使用教具、挂图或其他教学手段 时间分配 复习提问 续上次课 【二极管的等效电