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电磁屏蔽技术研究 1. 电磁屏蔽的起因 在现代通信、自动控制和计算机技术领域，集成电路和大规模集成电路的广泛使用，使电子设备的体积大为缩小，大量的单元制印制电路安装在较小的机腔内，因而相互之间干扰的可能性增加。为了确保电子设备的正常工作，必须使设备中电子电路所传输的有用信号远强于干扰信号。当内部本身产生或外部带来的干扰信号超过允许的最大量时就会使电子设备工作的质量降低或无法正常工作。如在海湾战争中，美国等动用了大量通讯、侦查卫星用于导弹、导航系统，开动了大量电子干扰设备，对伊拉克军队指挥、控制系统进行了干扰控制，使电子设备及通讯失灵。故许多国家已认识到电磁屏蔽的重要性，在计算机精密仪器、航天、卫星、导弹、电报、电话等通讯设施上做了电磁屏蔽防护。 2. 屏蔽技术的原理 2.1屏蔽：所谓屏蔽就是用技术手段将电磁能量限制在规定的空间范围内，这种限制就是用一切可能的方法来阻止电磁能量的向内部或向外部传播。 我们知道凡是场的干扰都可以用屏蔽的方法来削弱，以确保设备的正常工作。按干扰场的性质，可将屏蔽分为：电屏蔽、磁屏蔽和电磁屏蔽三类。 2.1.1 电屏蔽：电屏蔽采用良导体制作，隔离经电容性耦合传递的干扰，所以屏蔽通常用良导体制作。 2.1.2 电场屏蔽原理 在靠近导体附近放置一个带电体，这个原来不带电的导体感应而带电，并在其周围产生电场，这就是电场力的作用。但是，导体带电电荷及导体因带电而产生的电场，是分布在导体的外表面，其内部不存在电场。 根据这一特性，用金属导体将受到干扰的物体包围起来，就可使其免受电场影响，这就是金属屏蔽盒原理。 电场屏蔽基本原理图如图一所示 图一 若A点是无线电设备中某一工作在射频状态的点，B点是同一设备中需要屏蔽的点，Do点是该设备的零电位点，C1是A点对B?点的杂散寄生电容，C2是B点对Do点的杂散寄生电容，在A点电位Ua的作用下，B点产生的电位为 Ub Ub=Ua（C1/（C1+C2）),从公式中可以看出：减小C1或增大C2 都能使Ub的电位减少。这就是设计电场屏蔽的理论基础。 我们可以增大A、B两点之间的距离来减小C1，或是减少A、B两点的元器件表面积来减少C1，但这两种措施都有一定的局限性，所以，我们可以采取 下面的方法。  图二 　 为了减小C1，我们在A与B之间加入一块金属平板J，这时，电容C1被分为两个串联的电容C3和C4，C5为金属板与参考点?Uo之间的电容，C为A，B之间加入金属板之后的寄生电容，其值非常小，可以忽略不计。此时经过Y/△变换后，求得Bb电压?为：Ub=Ua(C3*C4)/((C3+C5)(C4+C2))?。 从上式可知：当加入金属板后，Ub电位可高于或可低于加入金属板前的电位，分析如下：当C3比C5大得多的时候，金属板电位大约等于Ua电位，而C4总比原来的C1大，这时的Ub反而比加入金属板前的电位高，这时加入的屏蔽体（金属板）不是有利，反而是有害的。若增大C5，则Ub电压会下降，当C5无限增大，变成屏蔽体接地，从公式可以看出：Ub≈0，也就是说，我们达到了屏蔽的目的。所以我们得到的结论是：? 1、 为了屏蔽电场，屏蔽体必须妥善接地，可以是设备的机壳、底板或电路的零电位点。? 2、 由于屏蔽体内的电流不大，所以电场屏蔽的效果不决定于屏蔽体的材料厚度。?3、 在屏蔽体上为了散热或调节元器件而加工的狭槽和小孔，只要其几何尺寸比设备工作的波长和屏蔽体本身的几何尺寸小得多，就不会影响电场屏蔽的效果。?4、 改变设备的工作频率不影响屏蔽体对电场屏蔽的效果。?5、 为了更好地屏蔽电场，最好将要屏蔽的电路、元器件、?设备用屏蔽材料包围或封起来。 2.1.3 磁场屏蔽的基本原理。 物理学中的焦尔——楞次定律告诉我们：在有电流流过的任合电路的周围空间都会产生磁场，如果这个电流是交变的，那么产生的这个磁场也是交变的。当这个交变的磁场通过某一个闭合的回路时，在闭合的回路中就会产生一个交变的电流，这就是磁场耦合。所谓磁场屏蔽，就是把这种磁场耦合截断，或是把这种磁场耦合降低到最小的程度。 工程上解决磁场屏蔽的方法有两种，就是“山海经”里面“大禹治水”的方法，一是“堵”，二是“疏”。所谓“堵”，就是用磁阻损耗大的导磁材料把磁场能量消耗掉，所谓“疏”，就是用磁阻特别小，而且导磁率特别高的导磁材料把磁场旁路掉 1、利用涡流和磁滞的方法（“堵”的方法）利用导磁材料的涡流损耗和导磁材料的磁滞损耗特性来达到磁场屏蔽。如图三所示 图三 电路A由于交变电流引起磁场变化对电路B有磁场耦合作用，为减少这种耦合作用，我们在A与B之间放置金属板J，如图四所示 图四 　 在电路A交变电流产生磁场的作用下，金属板J内部将感应出交变电流，我们把