20062007-2微机第5章(冯).pptVIP

* 第5章 半导体存储器 5-1 半导体存储器简介 5-2 典型芯片介绍 5-3 高速缓冲存储器（Cache） 5-4 存储器系统设计 5-1 半导体存储器简介 CPU RAM 读写 ROM 只读 数据总线 地 址 译 码 器 接口 硬盘 软盘 光盘 磁带 一、微机存储器 内存 外存 二、存储容量 已知某芯片的地址线为10条，数据线8条，该芯片的地址范围是多少？ A9…………………….A0 地址范围 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 000H 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 3FFH（1K） 5-1 半导体存储器简介 地址单元数×每单元的位数 ＝2地址线数量×数据线数量 210 × 8 = 1K B ； 220 × 8 = 1M B 230 × 8 = 1G B 例 6264芯片容量为8K×8bit=8KB 5-1 半导体存储器简介 1、随机存取存储器RAM（Random Access Memory） 存放用户当前程序; 断电后数据消失。 分类： （1）SRAM（静态）集成度低，速度快 （2）DRAM（动态）集成度高、速度慢、容量大 三、按存储性质分类 5-1 半导体存储器简介 “1” 2、只读存储器ROM（Read Only Memory） 只读；存放引导程序； 断电内容不消失 分类： （1）掩膜ROM：批量； （2）PROM：一次性编程； （ 3） EPROM：可编程、紫外线照射擦除； （4） E2PROM：可编程、电信号擦除，方便。 6264引脚介绍： 地址线 A12 ~ A0； 数据线 D7 ~ D0 ； 容量 8K*8位 WE：写允许信号 OE；读允许信号 CS1、CS2：片选信号 CS2 CS1 WE OE 读 1 0 1 0 写 1 0 0 1 6264 A12 ~ A0 D7 ~ D0 VCC CS1 NC GND CS2 WE OE 5-2 典型芯片介绍 Intel典型芯片： 6264 （8K*8位） 62128（16K*8位） 62256（32K*8位） 一、静态RAM（SRAM） 6264芯片与CPU系统的连接 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 A0 A12 MEMW MEMR ? ? ? 译码 电路 高位地址信号 D0~D7 5-2 典型芯片介绍 CPU 6264 ？ 二、动态读写存储器（DRAM） 1、电容C存储信息，不稳定; 2、需刷新电路， 3、行列地址分时输入 行选择线 列选择线 刷新 放大器 Q C 数据线 5-2 典型芯片介绍 Intel 2164DRAM 芯片（64K*1） 数据输出线 DOUT ，数据输入线 DIN 地址线 A7~A0（行列分时） 容量 216*1=64K*1bit 2164 A7~A0 VSS DI N RAS VDD CAS DOUT WE 行地址选择兼片选信号 RAS 列地址选择 CAS 2：1 行列转换 延时 2164 CAS RAS A15~A0 100ns 60ns 8 控制信号 A7~A0 5-2 典型芯片介绍 Intel 2764的引脚简介： 地址线 A12~A0 数据线 D7~D0 容量 213*8=8K*8 编程脉冲 PGM OE 输出允许 片选 CS Intel 2716 （2K*8） Intel 2732 （4K*8） Intel 2764 （8K*8） Intel 27256 （32K*8） 2764 A12~A0 VCC CS GND VPP PGM D7~D0 OE VCC VPP CE OE PGM D7~D0 读 +5v +5V 0 0 0 输出 编程 +5 +25 1 1 正脉冲 输入 校验 +5 +25 0 0 0 输出 备用 +5 +5