第一章 高电压理论.pptVIP

1.2 低气压下均匀电场的自持放电Townsend理论与巴申定律1.2.1 Townsend理论 英国物理学家的开创性贡献。 适用范围有限，但对放电机理的阐述具有普遍意义，至今仍是放电物理的基础理论。 思考－影响放电的因素？ 1. 非自持放电与自持放电 外加电压很小时，气隙中的电流是由外界光电离因素造成。OA段线性，AB段饱和，良好绝缘状态，电流很小。BC段急剧上升。 非自持放电：电压小于U0时，取消外电离因素，间隙电流消失。 自持放电：电压大于U0时，取消外电离因素，间隙电流靠电场作用而维持，且电流大增。 场强高达某一定值后，气体发生连续的碰撞电离，如雪崩似的增长，称为电子崩。 U0为击穿电压。 2. 碰撞电离与电子崩 电子崩：连续多次碰撞电离使得电子数按几何级数增长，如雪崩状发展，电流急剧增加。 电子碰撞电离系数α：单个电子由阴极到阳极每经１ｃｍ路程，与气体质点相撞发生的碰撞电离次数，也即：单位行程内因碰撞电离产生的自由电子数。 电子崩过程称α过程（忽略β过程：正离子碰撞） 电子平均自由行程λ∝T/P：每两次碰撞之间电子自由通过的距离。单位长度内电子的平均碰撞次数：1/λ 电流随电极间距指数变化的数学描述 I0:外电离引起的饱和光电流。 Id:外电路电流。 碰撞电离产生的正离子数等于新增电子数： N0(ｅαd－1) α过程电子崩放电不能自持：I0=0时，Id＝0 碰撞电离