[理学]模电第1章复习精简版.ppt

有人认为模拟电子技术是“魔鬼”电子技术，而且有足够的证据加以证明。 但我看来，只要认真学习，努力掌握学习的技巧、方法，“魔鬼” 可以变成“天使”，这也有足够的证据支持。 还有重要的一点，这门课学习的目的是应用，学习质量的评价标准是能否将它应用到实践中去分析、解决问题，而不是仅仅会做几道习题，得到一个理想的卷面成绩。康德说：知识本身不会告诉人怎样去应用它，运用的智慧在书本之外。 多级放大电路：重点掌握多级放大电路的耦合方式，差分放大电路的组成特点和分析计算方法，阻容耦合和直接耦合放大电路的计算方法。难点差分放大电路的计算。? 集成运算放大器：重点掌握集成运放的组成、集成运放中的电流源。? 放大电路的频率响应：重点掌握频率响应的基本概念，频率响应的基本分析与计算方法。难点频率响应的计算? 反馈放大电路：重点掌握反馈的基本概念，负反馈放大电路的组态及其性能改善、深度负反馈放大电路的计算。难点负反馈放大电路的组态判别、深度负反馈放大电路的计算。? ? 信号的运算与处理：重点掌握基本信号运算电路，有源滤波电路。难点有源滤波电路的分析与计算。? 波形的发生和信号的转换：重点掌握正弦波振荡器，电压比较器。难点正弦波振荡器的分析；滞洄比较器的分析计算。? 功率放大电路：重点掌握OCL电路的组成原理和分析计算方法。难点功率放大电路的计算。? 直流电源：重点掌握直流稳压电源的组成、串联型稳压电路。难点直流电源的设计。 1.3.4　BJT的主要参数及其安全工作区 三极管的连接方式： IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 1）直流参数 （1）在不同接法下的直流电流放大系数 ② 直流共射电流放大系数 3. 共基电流放大系数 ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： ① 直流共基电流放大系数 ? (a)ICBO测量电路 (b)ICEO测量电路 ICBO c e b ?A ICEO ?A c e b 　　当 b 开路时， c 和 e 之间的电流。 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。 （2）极间反向电流 ① 集-基反向饱和电流 ICBO 小功率锗管，10－6A数量级，硅管10－9A数量级 ② 集-射反向饱和电流 ICEO 2) 交流参数 （1）在不同接法下的交流电流放大系数 交流共基集-射电流放大系数的估算式 交流共射集-基电流放大系数的估算式 （2）特征频率fT 当β下降到1时的信号频率 3) 极限参数 (2) 集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，三极管的 ? 值要减小。在 IC = ICM 时， ? 值下降到额定值的三分之二。 (1) 集电极最大允许耗散功率 PCM 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 将 IC 与 UCE 乘积等于规定的 PCM 值各点连接起来，可得一条双曲线。 ICUCE PCM 为安全工作区 ICUCE PCM 为过损耗区 IC UCE O PCM = ICUCE 安 全 工 作 区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 过 损 耗 区 图1-35　BJT的安全工作区 (3) 反向击穿电压 外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。 　　U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。 　　U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。 　　安全工作区同时要受 PCM、ICM 和U(BR)CEO限制。 过电压 IC U(BR)CEO UCE O 过 损 耗 区 安 全 工 作 区 ICM 过流区 4) BJT的安全工作区 1.4　场效应晶体管（FET） 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 结型场效应管（JFET） 绝缘栅型场效应管（IGFET） D s g 1.4.1　结型场效应管 1) JEFT结构 图 1-