VO2相变机制和掺杂改性的第一性原理研究进展.pdf

第 37 卷第 4 期 ■专题综述 doi:10.3969/j.issn.0253-9608.2015.04.002 VO 相变机制和掺杂改性的第一性原理研究进展* 2 ① ① ② ② ①③ ③ ①③ 崔苑苑 ，陈兰丽 ，严六明 ，任清华 ，施思齐 ，张文清 ，罗宏杰 ， 高彦峰①③† ①上海大学材料科学与工程学院，上海 200444 ；②上海大学理学院，上海 200444 ；③ 上海大学材料基因组工 程研究院，上海200444 摘要 VO2具有“半导体—金属”相变特性，能够随温度变化自动调节近红外光透射率和电阻，在热开关、光学传感器、信 息存储器件、智能窗以及非制冷焦平面探测器等方面具有广阔的应用前景，是一种备受关注的热致变色材料。首先，通过 简要介绍VO 基本物理化学性质及相变原理的实验研究现状，着重综述了基于密度泛函理论的第一性原理计算在VO 相变机 2 2 制研究中的最新进展，即VO2的相变是Peierls和Mott相变机理相耦合的结果。其次，围绕能带调控，分金属元素和非金属 元素两大类，综述了第一性原理计算在VO2掺杂改性中的应用。再次，指出了当前研究中存在的争议，即不同第一性原理计 算方法得到的计算结果差别很大，因此在选择计算方法的类型时需要十分谨慎。最后展望了第一性原理计算在VO2材料研究 中的应用前景。 关键词 VO2 ；热致变色；Mott相变；Peierls相变；掺杂 1959年，贝尔实验室的F. J. Morin首次报道 近年来，我国在VO2节能窗的基础和应用研 了钒(V)和钛(Ti) 的某些氧化物具有 “半导体—金 [6-9] 究方面，取得了许多重要进展 。例如Gao等人 [1] 属”相变特性 。在这些氧化物中，VO 备受关 研发了化学镀膜和利用VO 纳米粉体制备柔性贴 2 2 注，不仅因为其具有显著的 “半导体—金属”相 膜的新技术路线，成功地将薄膜性能提升到实用 变性质，更重要的是VO 相变温度(68 ℃)接近室 化水平。在此基础上，其团队先后在纳米粉体合 2 [2-3] 温，实用潜力巨大 。VO 的 “半导体—金属” 成与分离、表面改性、分散技术、添加剂的选 2 相变是一种高速可逆相变。当升温达到相变点 型、添加量优化、膜层结构设计等关键要素上， 时，材料的结构和性能同时在飞秒量级的时间 进行技术的放大和装备研发，攻克了功能贴膜的 内发生突变，晶体结构由单斜晶系转变为四方晶 产业化制备方法[7, 10- 12] ，在国际上采用印刷式连 系，电阻显著降低，红外波段光谱特性由高透射 续工艺试制了首款宽幅贴膜样品，并成功下线， [3] 转变为高反射 。由于VO 显著的 “半导体—金 投入市场。经第三方机构光谱和节能示范屋室外 2 属”相变性质，这种材料被广泛应用于温度传感 实测，所研发的VO2 贴膜的高温隔热性能优异， [2,4-5] 器、信息存储器件以及温控节能窗中