X频段FET混频器的仿真设计.pdfVIP

第 14 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．14，No．2 2016 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Apr．，2016 文章编号：2095-4980(2016)02-0233-03 X 频段 FET 混频器的仿真设计 王 鹏 ( 电子科技大学 电子工程学院，四川 成都 611731) 摘 要 ：主要研究 X 频段下变频场效应管(FET)混频器的设计与仿真，利用谐波平衡法和变换 矩阵法对 FET 漏极混频器的工作原理进行分析，根据设计要求选取合适的 FET 管，运用先进设计 系 统( A D S ) 软 件 对 电 路 进 行 设 计 、 仿 真 优 化 和 加 工 测 试 。 测 试 结 果 表 明 ， 在 射 频 频 率 为 12.3 GHz~13.2 GHz ，中频频率为 1.6 GHz~2.5 GHz 时，变频损耗小于 5 dB 。 关键词： 场效应管混频器；谐波平衡法；变换矩阵法 中图分类号 ：TN927.2 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201602.0233 Simulation and design of X-band FET drain mixer WANG Peng (School of electronic engineering University of Electronic Science and Technology of China，Chengdu Sichuan 611731，China) Abstract： The simulation and design of X-band down-converter Field Effect Transistor(FET) mixer is presented. The basic principle of FET drain mixer is analyzed by the harmonic balance method and the transform matrix method. How to choose the appropriate FET transistor is based on the requirement for design. The circuit is designed，simulated and optimized with Advanced Design System(ADS) software. With Radio Frequency(RF) of 12.3 GHz-13.2 GHz and Intermediate Frequency(IF) of 1.6 GHz-2.5 GHz， the conversion loss is less than 5 dB. Key words：Field Effect Transistor drain mixer；harmonic balance method；transform matrix method 混频器广泛应用于微波电路当中，尤其是作为超外差接收机中的关键部件，它的指标很大程度上决定了整个 系统的性能。混频器利用非线性器件将信号频率变换成多个频率输出实现频率变换，然后使用滤波器来选取所需 要的中频信号。FET 有源混频器电路分为：栅混频、漏混频、源混频等 [1