不同氮源制备CN纳米管薄膜及其低场致电子发射性能!.pdf

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不同氮源制备CN纳米管薄膜及其低场致电子发射性能!

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 % ! ’’ ! , , , 4E- /% *E / ! 92825L2M ’’ ( ) !’’’:$)’0’’0% ! 0)6:’ 7,H7 F+IJK,7 JK*K,7 ’’ ,G?B / FGNO / JE8 / 不同氮源制备! 纳米管薄膜及其 ! 低场致电子发射性能! )) ) ) ) ! # $ 丁 佩 晁明举 梁二军 郭新勇 !)(郑州航空工业管理学院应用科学系,郑州 %’’! ) )(郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州 %’’ ) $ )(河南大学特种功能材料实验室,开封 %(’’!) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ’’ % ’’ ( !) 采用高温热解法,分别以氯化铵( )和乙二胺( )为氮源在洁净的硅片上沉积生长 纳米管薄膜 *+ ,- , + * ,* / % . ! 利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对 纳米管进行形貌观察和表征 结果显示不同氮 ,* / ! 源制备出的 纳米管薄膜的洁净度、有序度以及纳米管的结构明显不同 热解乙二胺( )二茂铁 ,* / , + * 0 ! . (

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