用於次世代无扩散阻绝层之高温稳定铜导线薄膜开发研究.PDFVIP

國科會94年度專題研究計劃 成果精簡報告 用於次世代無擴散阻絕層之高溫穩定銅導線薄膜開發研究 計畫編號： NSC94-2216-E-019-002 執行期限： 94 年 8月 1日至 95 年 7月 31日 主持人：朱瑾 教授兼所長 國立臺灣海洋大學材料工程研究所 一、中文摘要 相較於鋁 (Al)於矽元件上之銅金屬化製程因具較高 之導電度與較佳之抗電遷移性，已被廣用於超大型積體 本文係探討退火期間介於銅合金薄膜與無阻障層 電路 (ULSI)與薄膜電晶體液晶顯示器之製造。然而由於銅 矽基板間之反應層的形成。含少量 WN 相之銅合金薄膜 在低溫下較易擴散至矽或與矽反應衍生元件於操作期間 係將銅與鎢於 Ar/N2 之混合氣體中作反應性共濺鍍沉積 產生劣化。因此，介於銅與矽間有必要置入一阻障層以 而製得。經在530°C退火一小時，有一 200 nm厚之反應 防止銅與矽間因交互擴散所產生之致命反應。然而當元 層生成於 Cu(WN)/Si界面，可作為阻障層以保護薄膜免 件尺寸逐年縮小，整體電阻毫無避免會因阻障層使電子 於與矽反應。X-ray 繞射(XRD) 、聚焦離子束(FIB)與穿透 擴散散射而導致電阻增加 [1] 。因此，新型可提升高溫穩 式電子顯微境(TEM)結果均證實此一反應層之形成，且獲 定性銅薄膜材料之無阻障層金屬化製程即在此一情形下 知此一反應層由 Cu WO 、Cu Si 與 Si N O 組成。依漏電 2 4 3 2 2 誕生。為達高溫穩定性之改善，銅合金薄膜已於許多研 流與電阻量測結果得知銅摻雜微量之 WN 其熱穩定溫度 究中被提及 [2-10] 。於先前研究中亦有探討摻雜各種不互 可提升至 530°C 。摻雜微量不互溶W 之銅種子層於真空 溶物質 (如 W[4,7])濺鍍銅薄膜，並發現其在高溫下之顯微 環境下作恒溫退火與循環退火之高溫穩定性、顯微組織 組織與高溫行為非常特別，若將之應用於材料科學則非 與電