使用高压门驱动芯片.pdfVIP

Xiner APPLICATION NOTE 深圳芯能半导体技术有限公司 应用手册 AN-1002 使用高压门级驱动芯片 目录 简介1 自举电路2 自举电容选择3 考虑自举电路4 门极电阻5 门极开通电阻选取6 开关时间6 输出电压斜率6 门极关断电阻选取7 寄生参数影响8 COM低于Ground (Vss-COM) 9 VS低于Ground (Vs-COM/VSS) 11 Vs和Vout间电阻 12 Vs所需钳位二极管14 PCB布板指南15 高低电压间距15 铺地15 门极驱动回路15 供电电容16 第 1 页 共 17 页 简介 本文主要目的是详述在应用高压门极驱动芯片驱动半桥时所可能遇到的最常见 的问题及对策，应用实例是电机驱动。 下面的章节介绍：元件选取，如自举电路和门极开通、关断电阻等；半桥电路中 的寄生元件及其影响，推荐了一些可能的解决方案。最后介绍了布线指南。所有 的推荐方案，除非特别指出，都是针对芯能典型的自举供电式门极驱动芯片的。 自举电路 自举供电由一个二极管和一个电容组成，连接如图 1. bootstrap bootstrap resistor diode DC+ Rboot VF VCC VB VGE bootstrap VBS Iload capacitor VCC VS motor VCEon VFP DC- 图1：自举供电示意图 这种方案的优势是简单且成本低，但是在占空比和导通时间方面会有局限，因为 要求对自举电容反复充电放电。 正确的电容选择可以很大程度减小这种局限。 自举电容选择 选择自举电容,首先要计算在上管导通时的最小电压降 (ΔVBS)。 若VGEmin 是维持上管开通的最低门极电压，那么BS的压降应该满足以下条件： V  VCCV V V BS F GE min CEon 在此条件下： V  V GEmin BSUV  VCC 芯片供电电压，VF 是自举二极管正向导通压降, VCEon 下管导通电压， 第 2 页 共 17 页 VBSUV- 高端供电门限。 如下我们考虑使得VBS 下降的因素： -IGBT开启所需门极