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全芯片LPE规则文件生成器 EXACT为纳米半导体工艺提供最精确的互连模型，并生成全芯片版图参数提取(LPE)规则文件。EXACT的 强大三维场求解器和脚本语言支持任何全芯片寄生参数提取器。 • 强大的三维场求解器支持非平面半导体剖面图，用于精确模拟不 规则的蚀刻图、双嵌入式工艺和低k值电介质 • 三维场求解器可计算互连电容模型，生成高精确度的LPE规则文 件，而不影响其提取性能 • 直观友好的图形界面便于新手及经验丰富的工艺技术开发师进行 工艺层描述和测试结构定义 • 标准操作模式用于处理传统工艺，而高级操作模式则可用于定义 更为复杂的非平面工艺 • 强大的脚本语言可处理任何格式的数据 EXACT的前端 经保形淀积的、带有多个非平面电介质的多层金 属工艺 • 自动生成deck输入档文件，并传送至三维场求解器 易用性 • 菜单驱动的参数化版图生成器便于结构测试和图形生成 • 用LISA脚本语言简便生成LPE规则文件 • 灵活的框架便于将原始寄生数据拟合于定制方程式中，用于 xCalibre、 CalibrexRC、Diva/Dracula LPE、HIPEX • 可预览工艺和版图 高效、多功能 • 批处理模式允许特征提取的自动运行 • 高级运行模式可让有经验的用户处理更先进的工艺模型 • 可进行电容变化的统计分析 • 电容提取表简单易懂，便于实验分析 • 提供工作表/优化器 • 支持多处理器计算机 • 可自动选择一维/二维/三维模式 第一层宽度 第一层间距 底部接地层 EXACT中生成并使用的测试结构示例 EXACT能简便生成参数化版图，用于实验设计（Design of Experiments）中使用的任何测试结构 原始EXACT电容数据与优化拟和方程式的 交互式控制拟合的优化器窗口 结果比较 互连寄生电容建模功能： 支持先进的半导体工艺 • 支持平面和非平面电介质 • 支持低k值电介质和铜双嵌入式工艺 • 支持保形电介质淀积 • 可仿真由于光学邻近校正(OPC：optical proximity correction )引 起的次波长光刻效应 • 支持工艺变化对互连电容的影响 • 将已知工艺余量应用于