同成品率砷化镓DPDT单片射频开关.pdfVIP

维普资讯 第 23卷 第 2期 固体 电子学研究与进展 Vo1．23．NO．2 2003年 5月 RESEARCHPROGRESSOFSSE M ay．2003 ．___l-__ 【j 同成品率砷化镓DPDT单片射频开关 李拂晓 蒋幼泉 陈继义 钮利荣 高建峰 邵 凯 杨乃彬 (南京电子器件研究所 ，南京 ．210016) 2001—03—12收稿 ．2001-09—03收改稿 摘要 ：采用砷化镓 76mm 0．7p．m 离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关 (以下简称单片开关)。该单片开关面积 1310Itm×1250p．m．总栅宽36mm．工作频率DC～2GHz．1GHz下插 入损耗 jrL小于0．52dB，隔离度jrSo大于17dB．驻波VSWR≤1．3．2GHz下jrL小于0．7dB．IS0大于 l1dB．驻 波≤1．3．反向三阶交词Pm优【于64dBm，1W 射频信号下 的栅漏电小于2O A。连续五批共 6O片的统计结果表 明．该单片开关圆片上芯片的直流成 品率最低84 ．最高96 ；微波参数成品率在 75 ～86 之间．代表着国内 GaAs单片电路成品率的最高水平 。 关键词 ：高成 品率 ；砷化镓；单片开关 中图分类号 ：TN386．6 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(2003)02—202—03 H igh YieldGaAsDPDT RF Switch M M IC IIFuxiao JIANG Youquan CHEN Jiyi NIU Iirong GAO Jianfeng SHAO Kai YANGNaibin (NanjingElectronicDevicesInstitute．Nanjing，210016．CHN)) Abstract：W edevelopedaGaAsRF DPDT switchM M IC technologywhichcanbeusedin handphoneusing 76m ill0．7 m ion implantation MESFET．ThisMM IC withchip areaof 1310p．m×1250 m andtheperipheryof36mm hasthefollowingperformances：L≤0．52 dB， 0≥17dB，5 R≤1．3at1GHzandreversethird—orderintermodulationinterceptPT0l ≥64dBm．TheleakagecurrentunderRFonewattisbelow20 A．Statisticalresultundercon— sequent5batches60waferstalallyexhibitsDC yield rangingfrom 84 to 96 ，andRF yield rangingfrom 75 to86 ． Keywords：highyield；GaAs；monolithicswitch EEACC：2560J 士 丘 接收灵敏度，较小的发射功率损失，较低信号失真 以及和其它射频电路及功放电路 良好的匹配功能。 移动通讯的发展给GaAs技术带来 了前所未 同时为了降低成本 ，提高市场竞争力，在设计上缩