2.2.3 结型场效应三极管.pptVIP

2.2.3 结型场效应三极管 (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。 JFET的结构如图02.19所示，它是在N型半导体硅片 的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是 漏极，另一端 是源极。 图02.19 结型场效应三极管的结构(动画2-8） (2) 结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没 有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对 于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅 压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则 将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作 原理。 ① 栅源电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在 漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。 当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的 沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变 窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应 的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。这一过程如图 02.20所示。 ② 漏源电压对沟道的控制作用 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)时，在紧靠漏 极处出现预夹断，如图02.21(b)所示。当VDS继续增加， 漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。以上过程与 绝缘栅场效应三极管的十分相似，见图02.15。 图02.21 漏源电压对沟道的控制作用（动画2-9） (3)结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本 相同，只不过MOSFET的栅压可正、可负，而结型 场效应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的 为负。JFET的特性曲线如图02.22所示。 * 跳转到第一页 * 图02.20 VGS对沟道的控制作用 在栅极加上电压，且VGS＞VGS(off)，若漏源电压VDS 从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏 极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布， 如图02.21(a)所示。 (a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 图02.22 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 动画（2-6） * * *