[工学]第5章 光伏探测器.ppt

光电信号检测 光生伏特效应是光照使不均匀半导体或均匀半导体中光生电子和空穴在空间分开而产生电位差的现象。 对于不均匀半导体，由于同质的半导体不同的掺杂形成的pn结、不同质的半导体组成的异质结或金属与半导体接触形成的肖待基势垒都存在内建电场，当光照这种半导体时，由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空穴，它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动和积聚而产生电位差，这种现象是最重要的一类光生伏特效应。 对于均匀半导体，由于体内没有内建电场，当光照这种半导体一部分时，由于光生载流子浓度梯度的不同而引起载流子的扩散运动。但电子和空穴的迁移率不等，由于两种载流子扩散速度的不同而导致两种电荷的分开，从而出现光生电势。这种现象称为丹倍效应。 如果存在外加磁场，也可使得扩散中的两种载流子向相反方向偏转，从而产生光生电势，称为光磁电效应。通常把丹倍效应和光磁电效应称为体积光生伏特效应。 一、由势垒效应产生的光生伏特效应 产生这种电位差的机理是利用势垒形成的内建电场将光生电子和光生空穴分开，这种势垒可以是pn结、异质结或者是肖特基势垒。 当光未照射时，p区和n区的多数载流子就会向对方扩散，这样在两种材料的接界处形成正负离子组成的空间电荷层及相应的由n区指向p区的内建电场。该电场阻止两边载流子的扩散，在界面处形成一个稳定的内建电场E内。从能量角度看，在热平衡时，内建电场E内引起的电子和空穴的漂移电流和扩散电流相平衡，在pn结区形成了—个势垒，电子在n区具有较低的势能，在p区有较高的势能，空穴则反之。因此，n区电子和p区的空穴要想从一区进入另一区都需要提供能量。 在恒定光照下，只要入射光子的能量比半导体禁带宽度大(hv≥Eg)，在结区、p区和n区都会引起本征激发而产生电子——空穴对。光生载流子会扩散，在每个区域，非平衡的光生少数载流子起主要作用，p区的少数载流子是电子，只要在此区域所产生的光生电子离结区的距离x小于电子的扩散长度Ln(光生电子从产生到与空穴复合的时间内移动的平均距离)，便可靠扩散从p区进入结区而被内建电场E内加速趋向n区； 如果在外部把p区和n区短接，则由结区势垒分开的光生载流子就会全部流经外电路，于是在电路中就产生了光电流，称为短路电流。 短路电流和光生电动势可由pn结的基本特性求得。 二、由载流子浓度梯度引起的光生伏特效应 当用hν足够大的光照射一均匀半导体的表面时，由于半导体对光的吸收，在半导体的近表面层中产生高浓度的光生非平衡电子空穴对。 这样就造成从半导体近表面指向体内的载流子浓度梯度。在浓度梯度推动下，两种载流于都沿光照的方向向半导体内部扩散。按扩散定律，电子和空穴形成的扩散电流密度分别为 如果将均匀半导体放在与光辐照方向相垂直的磁场中，将有洛仑兹力作用于扩散的电子和空穴，使它们向垂直于扩散方向的不同方向偏转，从而在半导体的两侧端面间产生电位差，这种效应称为光磁电效应。 产生该机理：光在样品中产生了非平衡载流子浓度，浓度梯度使载流子出现了沿x方向的定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力，使正负载流子分离，在两个端面的电荷积累形成电位差Vy和横向电场Ey当作用在载流子上的洛仑兹力与Ey作用的电场力平衡时，电位差Vy维持一个稳定恒。 光磁电效应与霍尔效应类似，但它与具有两种载流子的半导体中的霍尔效应有所不同。在霍尔效应中，载流子的定向运动是外加电场引起的。两种载流子的运动方向相反，二者形成的电流方向相同。垂直的磁场使两种载流子向同一方向偏转，效果是相互减弱。而在光磁电效应中，定向运动是扩散引起的。两种载流子扩散方向相同，二者形成的电流方向相反。在垂直磁场作用下，向相反方向偏转，效果是相互加强的。 光照越强，光电流越大，曲线愈往下移。 第一象限为p—n结加正偏压状态，此时p—n结暗电流ID远大于光生电流，作为光电探测器工作在这个区域是没有意义的。 第三象限里，p—n结处于反偏压状态，这时暗电流ID＝ISO(反向饱和电流)，数值很小，远小于光生电流，故光伏探测器输出回路中的总电流I＝IS＋ISO＝IS，称工作于这个区域的光伏探测器为光导工作模式。 §5—2 光伏探测器的性能参数 三、比探测率 光伏探测器D*可表示为 光伏探测器以散粒噪声为主 零偏压工作时 反偏压工作时 D*与R0关系 1．光电池的结构 硒光电池 制造工艺：光在铝片上覆盖一层p型硒，然后蒸发一层镉，加热后生长n型硒化镉，与原来P型硒形成一个大面积p-n结，最后涂上半透明保护层，焊上电极，铝片为正极，硒化镉为负极。 2. 光电池的特性参数 （1）光照特性 光电池的光照特性主要有伏安特性、入射光强一电流电压特性和入射光功率一负载持性。 Isc与光照强度成正比，Voc与入射光强度的对数成正比。 把光电池用作探测器时，通常以电流源形式使用。 Isc