IC工艺技术10-CMOS集成电路工艺技术教材教学课件.pptVIP

沟槽隔离技术(2) Poly Si 热电子效应和漏极工程(1) Vds Vgs N+ N+ e* e+e+h e*+e+h e** Emax Isub 热电子效应和漏极工程(2) 最大电场 Emax＝(Vds-Vsat) / I L=0.5um， tox＝125A xj＝0.2um Vt=0.7V Vds=5V Emax＝3.6x105V/cm Vds=3V Emax＝2.3x105V/cm 热电子效应和漏极工程(3)(DDD) Gate n+ n+ n- n- p-sub 热电子效应和漏极工程(4)(LDD) Vds Vgs n+ n- E LDD工艺流程 (1) LDD工艺流程 (2) LDD工艺流程 (3) MOSFET模拟－杂质分布 短沟道效应和沟道区掺杂 Poly Si 硅化物 Pocket Halo n- n+ Vt adjust 栅极技术 源漏浅结技术和硅化物 (1) 源漏浅结技术和硅化物 (2) 源漏浅结技术和硅化物 (3) Latch up效应 避免Latch up效应的对策 ?ver ?hor1 ?=DBNELE/DENBW 增加基区宽度（即NMOS与PMOS间距，阱的深度） 增加基区掺杂（即增加衬底和阱的浓度） 逆向阱 低阻衬底高阻外延 深槽隔离 高能注入形成逆向阱