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开双孔光罩作业 将N/P电极区域的SiO2露出，以便下步蚀刻 SiO2蚀刻 将电极上的SiO2用BOE（NH4F+HF）混酸腐蚀35sec,露出电极。 去光阻 左图绿色阴影区域为SiO2，黄色阴影区域为金属电极。 * * 单颗晶粒前工艺后成品图 * * ITO蒸镀机 Temperature：200℃ O2：8.5 * 湘能华磊光电股份有限公司 * ICP 曝光机 * * PECVD 蒸镀机 * * 研切的目的 将一整片上的LED分开，形成一粒粒的芯片。并且在此过程中保持晶片完整，干净，研切工序是影响芯片成品率的主要工序。 如下图： 研磨前 裂片扩张后 研磨切割车间工序 上蜡 (Bonding) 研磨 (Grinding) 抛光 (Polishing) 下蜡 清洗 粘片 切割 (Scribing) 裂片 (Break) 所用仪器：千分表（单位：um） 测量方法： 1、擦干净陶瓷盘； 2、将陶瓷盘放在千分表的大理石上； 3、移动陶瓷盘，千分表表头接触陶瓷盘面，归零，找到陶瓷盘的零点位置； 4、将千分表表头接触wafer背表面，读出的数值即为wafer的厚度。 一、wafer的减薄过程 Wafer的厚度测量 一、wafer的减薄过程 测量值记录： 每一片wafer在测厚时，为了检查晶圆研抛后的均匀性，测量并记录五个点。 分别为：上、中