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晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 4．温度升高，管子的死区电压降低。 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 IC = ICN + ICBO IE= IEN+ IEP = ( ICN + IBN) + IEP IB=IEP+ IBN－ICBO IE =IC+IB （2）电流的分配关系 定义 称为共基极直流电流放大系数 IE=IC+IB IC = ICN + ICBO 表明输出电流IC受输入电流IE控制的关系 小，忽略 称为共射极直流电流放大系数 穿透电流 共射极接法 当VCEVBE时，发射结正偏，集电结反偏，晶体管仍工作于放大状态。 集电结反向电流 共基极放大电路 3. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 小结： 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 1．共射极输入特性 vCE=0V vCE=10V vCE=1V 为什么VCE增大曲线右移？ 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么VCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1、输入特性的特点 vCE=0V vCE≥1V vCE=1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 结论：整体是非线性的，局部可看作是线性的 2．共射极输出特性 饱和区 截止区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA vCE/ V 为什么vCE较小时iC随vCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 2．共射极输出特性 饱和区 截止区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA vCE/ V (1) 饱和区 VCE≤VBE IC＜βIB VCE增大， IC 增大 (3) 截止区 IB≈0 IC≈0 (2) 放大区 VCEVBE IC=βIB IC与VCE无关 状态 VBE iC VCE 截止 ＜Von ICEO VCC 放大 ≥Von βiB ≥ VBE 饱和 ≥Von ＜βiB ≤ VBE 晶体管的三个工作区域特点 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 NPN管与PNP管的区别 iB、vBE、iC、 iE 、vCE的极性二者相反。 NPN管电路 PNP管电路 硅管与锗管的主要区别 (3) 锗管的ICBO比硅管大 (1) 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V (2) 导通压降|vBE|约为 锗管0.3V 硅管0.7 V 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 [例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：BJT三个电极的电流关系为 ： IE=IB+ IC A B C IA IB IC A为集电极 B为基极 C为发射极 管型为NPN管 管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。 例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为： （1）V1=3.5V、V2=2.8V、　V3=12V