半导体物理习题2和习题3答案.pptVIP

半导体物理习题课 1.设点阵常数为a的一维晶体，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为 和 其中，m0为电子惯性质量，k1= π/a，a=0.314nm，求解： （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; (4) 价带顶电子跃迁到导带底时电子准动量的变化. (1)由 可以得出，当 取最小值时 ， 同理由 可以得出， 时 （2） ， （3） ， （4） 2. 点阵常数为0.25nm的一维晶体，当外加 ， 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 由准动量定理 得， 当电场 时 当电场 时 1.锑化铟的禁带宽度 ，相对介电常数 ，电子的有效质量 ， 为电子的惯性质量，求i）施主杂质电离能；ii）施主的弱束缚电子基态轨道半径。 i) ii) ii) 2. 磷化镓的禁带宽度 ，相对介电常数 ，电子的有效质量 ，为电子的惯性质量，求i）施主杂质电离能；ii）受主弱束缚空穴基态轨道半径。 i) ii)