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第一章 常用半导体器件 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 定义 4. PN 结的电容效应 1.2 半导体二极管 二极管的伏安特性----单向导电性！ 例题1：电路图如下图 所示，二极管D为硅二极管求U0 2）微变等效电路 稳压二极管 1.3.1 基本结构与类型 温度对晶体管特性的影响 Ugs作用于整个沟道 漏-源电压Uds对漏极电流的影响： 输出特性： 转移特性： 场效应管与晶体管的比较 本 章 结 束 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） 此时，Uds=0 栅-源电压Ugs对导电沟道宽度的控制作用： 1.4.1 结型场效应管 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 uGDUGS（off） uGDUGS（off） 此时，Ugs≠0 1.4.1 结型场效应管 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 1.4.1 结型场效应管 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，有uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） 有夹断 有沟道 1.4.1 结型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 1.4.2 绝缘栅场效应管 1. N 沟道增强型 MOS 场效应管 1. 结构 P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极 S 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 2. 工作原理 绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流 ID。 S G D B 1.4.2 绝缘栅场效应管 工作原理分析： 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止状态 2个耗尽层 1.4.2 绝缘栅场效应管 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS排斥空穴，形成耗尽层。 1.4.2 绝缘栅场效应管 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUGS(th)），出现以电子导电为主的N型导电沟道。 吸引电子 VGS(th)称为开启电压 1.4.2 绝缘栅场效应管 P N N G S D UDS UGS 导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS增大时，靠近D区的导电沟道变窄。 1.4.2 绝缘栅场效应管 （硅二极管典型值） （锗 二极管典型值） 导通压降： 导通时UD＝Uon 截止时IS＝0 1.2.2 伏安特性 折线化——恒压降模型 直线斜率：1/ rD rD=△U / △I I=V / R，忽略导通电压； I=（V－Uon ）/ R，考虑导通电压； I=(V－Uon )/( R＋rD)，考虑导通电压和 斜率变化。 导通时△i与△u成线性关系 折线化——折线模型 1.2.2 伏安特性 开关断开时 开关闭合时 应根据不同情况选择不同的等效电路！ 1.2.2 伏安特性 Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 1.2.2 伏安特性 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压U(BR) 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是U(BR)的一半。 1.2.3 主要参数 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 4. 最高工作频率fM 二极