BJT频率特性new.pptVIP

第三章 晶体管频率特性 在交流工作状态下，pn结的电容效应将对晶体管的工作特性发生影响。频率增高，pn结交流阻抗下降，对结电容的充放电电流增加，使晶体管的放大能力下降。 频率愈高，单位时间用于充放电的电子愈多，到达集电极的载流子愈少；结电容的分流作用愈大，基极电流愈大。因此，交流放大系数是频率的函数，并随频率的升高而下降。 同时，对结电容的充放电需要一定的时间，从而产生信号延迟，使输出和输入信号存在相位差。因此，交流放大系数是复数。 因此晶体管的使用频率受到一定限制。如何提高晶体管的使用频率，是晶体管设计者和制造者的重要任务。  晶体管的许多重要特性都与工作频率有关。 一、交流小信号电流传输 晶体管工作在交流小信号状态下，其信号电压叠加在直流偏置电压之上，输出总电流应是直流分量和交流分量之和。 以NPN晶体管共基极连接为例： 输入总电压表示为 集电极总输出电流为 发射极交流分量ie ：晶体管内发射结和集电结上的偏压及电荷分布随时间而变化。发射结势垒宽度也将随时间而变，可看成发射结的势垒电容。发射结的电流对发射结势垒电容CTE充放电，形成电流分量 。 发射结注入基区的电子电流ine ：基区和发射区注入的非平衡载流子浓度也会随结上电压而按指数规律变化（见P40），即基区、发射区储存的电荷量也会随时间而变化。可看成是发射结的扩散电容CDE。ine应包含发射结扩散电容CDE的充放电电流。 ：集电结偏压变化时，会导致基区宽变效应，从而引起基区积累电荷的变化。定义发射结偏压为常数时，基区电荷与集电结电压的微分量之比为集电结扩散电容CDC。 ine应包括集电结扩散电容CDC的充放电电流iCDC.(CDC很小，此电流一般可忽略不计） ：流经集电结势垒区与基区边界的电子电流。 集电结势垒区与集电区边界的电子电流inc(xmc) ：集电结势垒电容CTC的充放电电流 综上所述，为了响应交流下各种电容充、放电的需要，基极电流将变为 在同样的发射极电流下，由于基极电流的增大，将使得输出电流减小，即意味着电流放大系数的降低，其原因就在于晶体管内存在势垒电容和扩散电容。 在直流下，发射效率 在交流下， 故 由发射结等效电路可知， 用发射结延迟时间来表示发射效率 则 由此可知，随着频率ω升高，|γ|减小。 直流下基区输运系数β0 ＊的定义β0 ＊=Inc /Ine 交流时由于CDE的充放电影响， 式中，reCDE称为基区渡越时间，亦即发射结扩散电容CDE的充放电时间，以 表示。 对于均匀基区晶体管，发射结扩散电容 对于缓变基区晶体管，可求得 故对于均匀基区晶体管 集电区的电子电流包括集电结势垒电容CTC的充、放电电流iCTC和集电极电流ic。为此定义集电区衰减因子αc： 在输出端交流短路的情况下，集电区体电阻rcs与CTC相当于并联。 1.功率增益Gpm 晶体管的功率增益也随信号频率的升高而下降。需要分析其功率增益和工作频率的内部联系，使晶体管工作在更高频率时，仍能获得所期望的功率增益。 共射极连接的情况下 当负载ZL和晶体管的输出阻抗共轭匹配时，具有最大功率增益,或称最佳功率增益，以Gpm表示。 求得 式中，CC为集电极总输出电容。可见，工作频率越高，功率增益越小。 由以上分析可知，要提高功率增益，可通过提高fT、减小rb和CC等方法来实现。 减小Wb，增大λ，即增大η（增大基区杂质浓度梯度），及减小ρc和Wc以减小集电区串联电阻rcs等，使fT得以提高。 减小发射极和集电极的面积Ae、Ac，是减小结电容的有效方法，可减小总的集电极输出电容CC。 减小rb也是提高功率增益不容忽视的方面。 由于μnμp，所以高频管一般选用NPN型晶体管。同时，还需选用合适的工作点，即选择正确的偏置电压VCE与电流IC，使器件的性能得以更好的发挥。 3.2 晶体管开关时间①开关过程和 开关时间的定义 ②电荷控制模型 因大信号工作条件下BJT特性的非线性特征，无法通过求解非平衡少数载流子连续性方程的方法得到有关电流密度。如将晶体管看作电荷控制器件，那么数学处理将变得简单，可以得到可接受的简单解析式。电荷控制模型已成为处理大信号问题的有效方法。 电荷控制分析方法的基本微分方程可以从少子的连续性方程导出。 作为完整的电荷控制方程，还需要加进去的是由于储存电荷随时间变化而出现的其它分量，其中包括发射结空间电荷区和集电结空间电荷区储存电荷的瞬态值(dQTE/dt及dQTC/dt )。瞬态基极总电流应表示为(电荷控